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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利一种电流调节电路及DC-DC转换器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114448236B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011211777.4，技术领域涉及：H02M3/156；该发明授权一种电流调节电路及DC-DC转换器是由翁芊设计研发完成，并于2020-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电流调节电路及DC-DC转换器在说明书摘要公布了：本申请提供一种电流调节电路及DC‑DC转换器，所述DC‑DC转换器包括：输入单元、输出单元、输出反馈单元、误差放大单元以及所述电流调节电路；所述电流调节电路中的监测模块的一端接所述输入单元的输出端，另一端接所述输出反馈单元的输入端，所述电流调节电路的输出端接所述误差放大单元的一个输入端；所述输出反馈单元的输出端分别接所述输出单元的输入端和所述误差放大单元的另一个输入端。在DC‑DC转换器的电路中增加一个电流调节电路，通过所述电流调节电路的电流反馈加速误差放大单元输出的稳定，从而达到提高DC‑DC输出效率的目的。

本发明授权一种电流调节电路及DC-DC转换器在权利要求书中公布了：1.一种电流调节电路，其特征在于，包括： 监测模块，与待监测电路相连； 放大器，所述放大器的输入端与所述监测模块相连，能够放大所述监测模块的输出电压并输出放大电压，所述放大器包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管；所述第一PMOS管的源极接AVDD，栅极接偏置电流BIAS，所述第一PMOS管的漏极分别接所述第二PMOS管的源极和所述第三PMOS管的源极；所述第二PMOS管和所述第三PMOS管的栅极分别为所述放大器的两个输入端，所述第三PMOS管的漏极为所述放大器的输出端；所述第二PMOS管的漏极接所述第一NMOS管的栅极和漏极以及所述第二NMOS管的栅极，所述第一NMOS管的源极接地；所述第三PMOS管的漏极接所述第二NMOS管的漏极，所述第二NMOS管的源极接地； 所述监测模块包括监测电阻R5和分压电阻R1、R2、R3、R4；所述监测模块与待监测电路相连的方式为将监测电阻R5串联到待监测电路中；监测电阻R5的一端连接电阻R1的一端，电阻R1另一端连接电阻R2的一端和第二PMOS管的栅极，电阻R2的另一端接地，监测电阻R5的另一端连接电阻R3的一端，电阻R3另一端连接电阻R4的一端和第三PMOS管的栅极，电阻R4的另一端连接第三PMOS管的漏极； 比较器，所述比较器的输入端与所述放大器的输出端相连，能够根据所述放大电压进行输出； 控制模块，所述控制模块的输入端与所述比较器的输出端相连，能够根据所述比较器的输出来输出控制电压； 输出模块，所述输出模块的输入端与所述控制模块的输出端相连，能够根据所述控制电压进行输出。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，其通讯地址为：300385 天津市西青区兴华道19号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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