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龙图腾网获悉深圳市金誉半导体股份有限公司申请的专利一种功率器件封装方法及封装框架获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334670B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111604408.6，技术领域涉及：H10W70/04；该发明授权一种功率器件封装方法及封装框架是由顾岚雁;林河北;梅小杰;解维虎;覃尚育设计研发完成，并于2021-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率器件封装方法及封装框架在说明书摘要公布了：本发明公开了功率器件封装方法，提供用于封装功率MOS管的封装框架，封装框架包括金属垫片、第一金属层、第二金属层、绝缘导热层和间隔排列的三个金属电极，绝缘导热层环设于金属垫片的四周，第一金属层和所述第二金属层对称设置于绝缘导热层两侧，第一金属层与第二金属电极连接，第二金属层与第一金属电极连接，金属垫片与第三金属电极连接，将功率MOS管的漏极与金属垫片焊接，在封装框架表面进行金属蒸发工艺，在蒸发金属表面进行光刻，去除部分蒸发金属形成位于封装框架上的栅极连接线和源极连接线，封装框架表面进行树脂包裹、塑封，以形成功率MOS管的直插式封装，有效避免了单个芯片反复打线过程，提高了功率MOS管的封装效率。

本发明授权一种功率器件封装方法及封装框架在权利要求书中公布了：1.一种功率器件封装方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供用于封装功率MOS管的封装框架，所述封装框架包括金属垫片、第一金属层、第二金属层、绝缘导热层和间隔排列的三个金属电极，所述绝缘导热层环设于所述金属垫片的四周，所述第一金属层和所述第二金属层对称设置于所述绝缘导热层两侧，第一金属层与第二金属电极连接，第二金属层与第一金属电极连接，所述金属垫片与第三金属电极连接； 将功率MOS管的漏极与金属垫片焊接，所述功率MOS管的源极PAD邻近所述第一金属层，所述功率MOS管的栅极PAD邻近所述第二金属层，所述功率MOS管的截面积大于所述金属垫片的截面积； 在所述封装框架表面进行金属蒸发工艺形成蒸发金属； 向所述蒸发金属表面涂覆一层光刻胶进行光刻，去除部分蒸发金属形成位于所述封装框架上的栅极连接线和源极连接线，将所述功率MOS管的栅极通过所述栅极连接线与所述第一金属电极连接，所述功率MOS管的源极通过所述源极连接线与所述第二金属电极连接； 将所述封装框架表面进行树脂包裹、塑封，以形成功率MOS管的直插式封装； 先将多个封装框架并联，同时将多个功率MOS管进行封装，蒸发形成多个栅极连接线和源极连接线，之后通过切割的方式将多颗芯片分开；所述栅极PAD的截面积小于所述源极PAD的截面积，所述蒸发金属的材质为铝，所述蒸发金属的厚度为6-10μm；所述金属垫片的材质为铝或铜，所述金属垫片与所述第一金属层、所述第二金属层通过所述绝缘导热层分隔。

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