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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利高压LDMOS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242649B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111541450.8，技术领域涉及：H10W10/17；该发明授权高压LDMOS器件及其制备方法是由杨新杰;朱兆强;金锋设计研发完成，并于2021-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本高压LDMOS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种高压LDMOS器件的制备方法，包括：在衬底的第二沟槽中采用热氧化炉管工艺形成隔离层；刻蚀去除部分厚度的衬底和所述隔离层的顶端位置以形成第三沟槽，同时以第三沟槽和隔离层为隔离界限定义出衬底中的有源区区域；最后在所述隔离层顶端的第三沟槽中形成介质层。本发明还提供一种高压LDMOS器件。本申请通过调整定义有源区、形成浅沟槽隔离结构和形成深沟槽隔离层的顺序，先在深沟槽第二沟槽中形成隔离层，再定义衬底中的有源区区域，最后形成介质层浅沟槽隔离结构，可以避免在高温热氧化形成所述隔离层时，与浅沟槽隔离结构的交界的有源区区域被误氧化的情况，提高了器件的隔离耐压性能，提高了器件的可靠性。

本发明授权高压LDMOS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高压LDMOS器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底上形成有依次堆叠的衬垫氧化层、氮化硅层和硬掩膜层； 刻蚀所述硬掩膜层、所述氮化硅层和所述衬垫氧化层至所述衬底表面以形成第一沟槽； 刻蚀所述第一沟槽底壁的所述衬底以形成第二沟槽； 采用热氧化炉管工艺在所述第二沟槽中形成一定厚度的隔离层，所述隔离层的上表面与所述衬底的上表面齐平，其中，采用热氧化炉管工艺在所述第二沟槽中形成一定厚度的所述隔离层的过程中，炉管中通入的氧气与所述第二沟槽中暴露的所述衬底发生氧化反应以生成所述隔离层，所述第二沟槽在宽度上的尺寸小于所述隔离层在宽度上的尺寸的十一分之五； 刻蚀所述硬掩膜层、所述氮化硅层、所述衬垫氧化层、部分厚度的所述衬底和部分厚度的所述隔离层以形成碗状的第三沟槽和定义出所述衬底中的有源区区域； 形成介质层，所述介质层填充所述第三沟槽；以及， 去除所述氮化硅层、所述衬垫氧化层和部分厚度的所述介质层至所述衬底表面，剩余厚度的所述介质层的上表面与所述衬底的上表面齐平。

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