华虹半导体(无锡)有限公司李佳龙获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利背照式图像传感器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141799B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111535668.2，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权背照式图像传感器及其形成方法是由李佳龙;范晓;王函设计研发完成，并于2021-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本背照式图像传感器及其形成方法在说明书摘要公布了：一种背照式图像传感器及其形成方法，其中形成方法包括：提供第一衬底，第一衬底包括像素区，像素区内具有第一离子，第一衬底具有相对的第一面和第二面；在像素区内形成若干深沟槽；在深沟槽侧壁形成本征外延层；在本征外延层的表面形成掺杂外延层，掺杂外延层内具有第二离子；在第一面形成填充层，填充层封闭深沟槽的开口；在形成填充层之后，在第一面上形成器件层，器件层内具有若干器件结构。通过先在深沟槽内形成本征外延层和掺杂外延层，利用本征外延层对深沟槽的侧壁损伤进行修复；再在第一面形成器件层。因此能够有效避免在形成本征外延层和掺杂外延层时的高温将器件结构熔化的问题，进而有效提升最终形成的背照式图像传感器的性能。
本发明授权背照式图像传感器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，包括： 提供第一衬底，所述第一衬底包括像素区，所述像素区内具有第一离子，所述第一衬底具有相对的第一面和第二面； 在所述像素区内形成若干深沟槽，所述深沟槽自所述第一面向所述第二面延伸； 在所述深沟槽侧壁形成本征外延层； 在所述本征外延层的表面形成掺杂外延层，所述掺杂外延层内具有第二离子，所述第二离子与所述第一离子的电学类型不同； 在所述第一面形成填充层，所述填充层仅封闭所述深沟槽的开口，所述深沟槽内部仍为空腔结构； 在形成所述填充层之后，在所述第一面上形成器件层，所述器件层内具有若干器件结构；其中， 所述第一离子和所述第二离子朝向所述本征外延层扩散，在所述本征外延层内形成光电二极管，形成的所述光电二极管包围所述深沟槽； 对所述第二面进行减薄处理，且自所述第二面向所述第一面暴露出所述深沟槽以增大进光量，提高背照式图像传感器的灵敏度。
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