上海华力微电子有限公司刘涛获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利一种空气间隙的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141696B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111436024.8，技术领域涉及：H10W10/20；该发明授权一种空气间隙的形成方法是由刘涛设计研发完成，并于2021-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种空气间隙的形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种空气间隙的形成方法，包括：提供基底，基底上形成有所述字线结构，字线结构的侧面和顶部依次形成有氧化层和冗余氮化硅层；去除所述字线结构顶部的的氧化层和冗余氮化硅层，且保留字线结构侧壁的氧化层和冗余氮化硅层；去除部分冗余氮化硅层；去除剩余的冗余氮化硅层，以在相邻的字线结构之间形成空气间隙；以及，在所述字线结构上形成自对准金属硅化物。自对准金属硅化物的高度比传统工艺中的自对准金属硅化物的高度高很多，因此，减小了自对准金属硅化物的电阻，相应的，所述字线结构之间的空气空隙的高度也比传统工艺中的空气间隙高很多，因此，减小了所述字线结构之间的电容，极大提高整个空气间隙的性能。
本发明授权一种空气间隙的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种空气间隙的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底上形成有字线结构，所述字线结构的侧壁和顶部依次形成有氧化层和冗余氮化硅层； 去除所述字线结构顶部的氧化层和冗余氮化硅层，且保留字线结构侧壁的氧化层和冗余氮化硅层； 去除部分冗余氮化硅层； 进行第一预清洗工艺，以去除所述字线结构顶部残留的氧化层； 去除剩余的冗余氮化硅层，以在相邻的字线结构之间形成空气间隙；以及， 在所述字线结构上形成自对准金属硅化物。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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