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龙图腾网获悉格科微电子(上海)有限公司申请的专利多位半导体存储单元、存储阵列及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121071B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010861590.2，技术领域涉及：G11C11/36；该发明授权多位半导体存储单元、存储阵列及其操作方法是由赵立新;李杰;张浩然设计研发完成，并于2020-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本多位半导体存储单元、存储阵列及其操作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种多位半导体存储单元、存储阵列及其操作方法，其中，所述多位半导体存储单元，包括：钉扎二极管、控制晶体管和浮置扩散区，利用所述钉扎二极管进行电荷的存储；其中，所述钉扎二极管由：光电二极管的N阱区和P型表面掺杂区组成，或由光电二极管的P阱区和N型表面掺杂区组成。本发明中采用光电二极管的N阱区或光电二极管的P阱区作为存储电荷单元。在本发明所提供的技术多位半导体存储单元中，存储单元可存储的电荷量由掺杂剂量决定，因此存储量可控。

本发明授权多位半导体存储单元、存储阵列及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种多位半导体存储单元，其特征在于，包括： 钉扎二极管、控制晶体管和浮置扩散区，利用所述钉扎二极管进行电荷的存储； 其中，所述钉扎二极管由光电二极管的N阱区和P型表面掺杂区组成，或由光电二极管的P阱区和N型表面掺杂区组成，所述光电二极管适于在所述多位半导体存储单元进行读写操作时，不对光信号进行感应； 所述钉扎二极管与所述浮置扩散区之间还设置有所述控制晶体管的第一控制栅极和第二控制栅极，所述第一控制栅极位于光电二极管和浮置扩散区之间，控制所述钉扎二极管与所述浮置扩散区之间通路的打开和关闭； 所述浮置扩散区适于作为信号读取或存储的缓存区，连接电平输入端； 所述第二控制栅极设置于所述第一控制栅极和所述光电二极管之间，控制所述钉扎二极管与所述浮置扩散区之间通路的打开和关闭； 通过时序控制所述第一控制栅极和或所述第二控制栅极的打开和关闭，实现所述多位半导体存储单元的读取或写入过程； 当所述钉扎二极管由光电二极管的N阱区和P型表面掺杂区组成时，在进行数据存储时，将所述第二控制栅极接负压，以钝化表面缺陷，从而进一步降低漏电； 当所述钉扎二极管由光电二极管的P阱区和N型表面掺杂区组成时，在进行数据存储时，将所述第二控制栅极接正压，以钝化表面缺陷，从而进一步降低漏电。

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