博尔博公司张剑平获国家专利权
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龙图腾网获悉博尔博公司申请的专利单片多芯协同发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068604B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110499586.0，技术领域涉及：H10H29/14；该发明授权单片多芯协同发光二极管是由张剑平;周瓴;高英;陆内夫·亚历山大设计研发完成，并于2021-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本单片多芯协同发光二极管在说明书摘要公布了：一种单片多芯协同发光二极管包括：n型结构，p型结构，以及夹设在n型结构与p型结构之间的有源区；多个单片集成的迷你芯片，其中每个迷你芯片包括：迷你n接触，形成在n型结构上，该n型结构通过p型结构和有源区中的开口暴露；迷你p欧姆接触，形成在p型结构上；以及迷你发光区域，由迷你p欧姆接触限定。n桥金属，其将每个迷你芯片的迷你n接触电连接到n键合焊盘，其中n桥金属形成在p型结构上以及p型结构和有源区中的开口的侧壁上。
本发明授权单片多芯协同发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种单片多芯协同发光二极管，包括： n型结构，p型结构，以及夹设在n型结构与p型结构之间的有源区； 多个单片集成的迷你芯片，其中每个迷你芯片包括：迷你n接触，形成在n型结构上，该n型结构通过p型结构和有源区中的开口暴露；迷你p欧姆接触，形成在p型结构上；以及迷你发光区域，由迷你p欧姆接触限定，且在相邻的所述迷你p欧姆接触之间的区域保留所述p型结构和所述有源区； n桥金属，其将每个迷你芯片的迷你n接触电连接到n键合焊盘，其中n桥金属形成在p型结构上以及p型结构和有源区中的开口的侧壁上； 第一介电层，形成在所述p型结构上以及在所述p型结构和所述有源区中的开口的侧壁上，所述n桥金属形成在所述第一介电层上； 其中，相邻的所述迷你p欧姆接触之间的区域被所述第一介电层覆盖，所述n桥金属在所述第一介电层上延伸并形成全向反射器ODR，所述n桥金属以网络形式在相邻的所述迷你p欧姆接触之间的区域形成金属互联网络，以将所有的所述迷你n接触连接到所述n键合焊盘。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人博尔博公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州圣何塞市墨菲大街1172号237室，95131；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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