日月光半导体制造股份有限公司黄文宏获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体封装结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113675152B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110832491.6，技术领域涉及：H10W70/68；该发明授权半导体封装结构及其形成方法是由黄文宏设计研发完成，并于2021-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体封装结构及其形成方法。该半导体封装结构包括：第一基板，包括内埋于第一基板的电子元件；第二基板，位于第一基板上方；其中，电子元件通过第二基板与第一基板电性连接。
本发明授权半导体封装结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括： 第一基板，包括内埋于所述第一基板的电子元件和贯穿孔； 第二基板，位于所述第一基板上方，所述第二基板具有与所述第一基板相对的第一表面； 电性连接件，电性连接在所述第二基板与所述第一基板之间，包括电性连接在所述电子元件与所述第二基板之间的第一电性连接件和电性连接在所述第一基板与所述第二基板之间的第二电性连接件，所述第二电性连接件包括第二上电性连接件和第二下电性连接件，所述第一电性连接件、所述第二电性连接件包括导电柱； 焊料，设置在所述第一电性连接件和所述第二电性连接件处，所述第一基板还通过所述焊料与所述第二基板电性连接；以及 介电材料，设置在所述第一基板和所述第二基板之间并包覆所述第一电性连接件和所述第二电性连接件，其中，所述电子元件通过所述第二基板与所述第一基板电性连接，所述第二电性连接件与所述贯穿孔电性连接， 其中，所述第一基板具有一顶面及一底面，且具有一穿过所述第一基板从而贯通所述顶面与所述底面的空腔，所述第一基板的所述底面与所述电子元件的底面共面，所述电子元件设置在所述空腔内， 其中，所述介电材料包括邻近第一基板的第一介电材料和邻近第二基板的第二介电材料，位于所述第一介电材料中的所述第二下电性连接件与位于所述第二介电材料中的所述第二上电性连接件通过所述焊料在所述第一介电材料和所述第二介电材料的交界处进行对接。
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