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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112466922B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010720748.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置是由星保幸设计研发完成，并于2020-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：提供能抑制边缘终端区处的破坏的半导体装置600，具备有源区150；包围有源区的周围的栅极环区160；包围栅极环区的周围的源极环区170。有源区具有第一导电型的半导体基板；第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层6；第一导电型的第一半导体区7；栅极绝缘膜9；第一栅电极10a；层间绝缘膜11；第一个第一电极12a；第二电极13。源极环区具有半导体基板；第一半导体层；第二半导体层6；第三半导体区3；第二个第一电极12b。在源极环区中，在与第二个第一电极对置的位置的、第三半导体区的底面设置有第一或第二导电型的第二半导体区30、31。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具备： 有源区，其有主电流流通； 栅极环区，其包围所述有源区的周围； 环区，其包围所述栅极环区的周围；以及 终端区，其包围所述环区的周围， 所述有源区具有： 第一导电型的半导体基板； 第一导电型的第一半导体层，其设置于所述半导体基板的正面，且杂质浓度比所述半导体基板的杂质浓度低； 第二导电型的第二半导体层，其设置于所述第一半导体层的与所述半导体基板侧相反侧的表面； 第一导电型的第一半导体区，其选择性地设置于所述第二半导体层的与所述半导体基板侧相反侧的表面层； 栅极绝缘膜，其与所述第二半导体层接触； 第一栅电极，其设置于所述栅极绝缘膜的与所述第二半导体层接触的面相反侧的表面； 层间绝缘膜，其设置于所述第一栅电极上； 第一个第一电极，其设置于所述第二半导体层和所述第一半导体区的表面；以及 第二电极，其设置于所述半导体基板的背面， 所述环区具有： 所述半导体基板； 所述第一半导体层； 所述第二半导体层； 第二个第一电极，其设置于所述第二半导体层的表面，介由所述第二半导体层而与所述第一个第一电极成为相同电位；以及 第二导电型的第三半导体区，其以与所述第二半导体层接触的方式设置于所述第一半导体层的表面，且杂质浓度比所述第二半导体层的杂质浓度高， 在所述环区中，在所述第三半导体区的底面的与所述第二个第一电极对置的位置设置有第一导电型或第二导电型的第二半导体区。

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