芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司刘双娟获国家专利权
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龙图腾网获悉芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司申请的专利晶体管和半导体集成结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223859653U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520245912.9，技术领域涉及：H10W20/20；该实用新型晶体管和半导体集成结构是由刘双娟设计研发完成，并于2025-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体管和半导体集成结构在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及一种晶体管和半导体集成结构。包括：半导体材料层，半导体材料层上具有核心区、位于核心区外围的终端区以及位于核心区和终端区之间的过渡区；介质层，位于半导体材料层上，介质层中形成有多个暴露出半导体材料层的源极接触孔；金属硅化物层，形成在源极接触孔内的半导体材料层的表面上；多个源极接触孔包括位于核心区的多个核心区源极接触孔以及位于过渡区的多个过渡区源极接触孔，各过渡区源极接触孔的开口面积与各核心区源极接触孔的开口面积的比值范围为0.8至1.2。避免金属硅化物层与介质层之间应力不匹配，降低介质层发生破裂的风险，保障器件的性能。
本实用新型晶体管和半导体集成结构在权利要求书中公布了：1.一种晶体管，其特征在于，包括： 半导体材料层，所述半导体材料层上具有核心区、位于所述核心区外围的终端区以及位于所述核心区和所述终端区之间的过渡区； 介质层，位于所述半导体材料层上，所述介质层中形成有多个暴露出所述半导体材料层的源极接触孔； 金属硅化物层，形成在所述源极接触孔内的所述半导体材料层的表面上； 多个所述源极接触孔包括位于所述核心区的多个核心区源极接触孔以及位于所述过渡区的多个过渡区源极接触孔，各所述过渡区源极接触孔的开口面积与各所述核心区源极接触孔的开口面积的比值范围为0.8至1.2。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司，其通讯地址为：312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路508号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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