台湾积体电路制造股份有限公司江政鸿获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223859601U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520163684.0，技术领域涉及：H10K59/12；该实用新型半导体装置结构是由江政鸿;巫幸晃;刘家玮设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置结构在说明书摘要公布了：一种半导体装置结构，包括第一介电组件、多个谐振器腔壁金属组件、第二介电组件、以及平的覆盖金属层。多个谐振器腔壁金属组件设置在该第一介电组件中，所述多个谐振器腔壁金属组件中的各者与延伸至该第一介电组件内的不同的多个谐振器腔中的一者相关联，并且所述多个谐振器腔的各者具有延伸到该第一介电组件内的不同的腔长度。第二介电组件位于该第一介电组件上。平的覆盖金属层设置在该第二介电组件上且包括至少一个覆盖金属导孔，该覆盖金属导孔延伸穿过该第二介电组件至所述多个谐振器腔壁金属组件。
本实用新型半导体装置结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置结构，其特征在于，包含： 一第一介电组件； 多个谐振器腔壁金属组件其设置在该第一介电组件中，所述多个谐振器腔壁金属组件中的各者与延伸至该第一介电组件内的不同的多个谐振器腔中的一者相关联，并且所述多个谐振器腔的各者具有延伸到该第一介电组件内的一不同的腔长度； 一第二介电组件，位于该第一介电组件上；以及 一平的覆盖金属层，设置在该第二介电组件上，该平的覆盖金属层包括至少一个覆盖金属导孔，该覆盖金属导孔延伸穿过该第二介电组件至所述多个谐振器腔壁金属组件。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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