聚灿光电科技(宿迁)有限公司张中玉获国家专利权
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龙图腾网获悉聚灿光电科技(宿迁)有限公司申请的专利一种新型ITO膜层结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223859584U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202423231691.4,技术领域涉及:H10H20/833;该实用新型一种新型ITO膜层结构是由张中玉;程叶;王海红;褚志强设计研发完成,并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种新型ITO膜层结构在说明书摘要公布了:本实用新型涉及半导体技术领域,具体公开了一种新型ITO膜层结构,包括基片、ITO膜层一、ITO膜层二,所述ITO膜层一沉积在基片上,膜层一结构为IN22O33:SNO22=90:10,所述ITO膜层二沉积在ITO膜层一上,膜层二结构为IN22O33:SNO22=93:7。本实用新型通过设计复合ITO膜层,找到合适的INSN比例得到最佳的晶格匹配,解决了ITO膜层内的INSN比例,从而有效提升芯片亮度。
本实用新型一种新型ITO膜层结构在权利要求书中公布了:1.一种新型ITO膜层结构,其特征在于:包括基片、ITO膜层一、ITO膜层二,所述ITO膜层一沉积在基片上,膜层一结构为IN2O3:SNO2=90:10,所述ITO膜层二沉积在ITO膜层一上,膜层二结构为IN2O3:SNO2=93:7。
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