广东奥特半导体有限公司张守德获国家专利权
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龙图腾网获悉广东奥特半导体有限公司申请的专利光电耦合器的发射端获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223859579U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422715978.8，技术领域涉及：H10F77/50；该实用新型光电耦合器的发射端是由张守德设计研发完成，并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本光电耦合器的发射端在说明书摘要公布了：本实用新型提供光电耦合器的发射端，包括第一基岛、第二基岛、焊接区域、点胶凹槽、汇聚凹槽、固晶胶、发射芯片和硅胶，所述第一基岛和第二基岛相互位于对称的一侧，第二基岛上设置有所述焊接区域；所述第一基岛上开设有所述点胶凹槽和汇聚凹槽，发射芯片通过所述固晶胶固定在所述点胶凹槽内，硅胶位于所述、点胶凹槽、汇聚凹槽、固晶胶和发射芯片外部；本实用新型在光电耦合器封装上创新地采用内缩锥形凹槽设计，有效约束胶体并集中于中央，避免溢出，槽底的锥形汇聚凹槽不仅加强光线聚焦，减少光损失，提高传输效率，尤其适合长距离或高精度传输。同时，汇聚凹槽还能收集并约束胶体，增大粘接面积，增强结构稳固性。
本实用新型光电耦合器的发射端在权利要求书中公布了：1.光电耦合器的发射端，其特征在于，包括第一基岛1、第二基岛2、焊接区域3、点胶凹槽4、汇聚凹槽5、固晶胶6、发射芯片7和硅胶8，所述第一基岛1和第二基岛2相互位于对称的一侧，第二基岛2上设置有所述焊接区域3；所述第一基岛1上开设有所述点胶凹槽4和汇聚凹槽5，发射芯片7通过所述固晶胶6固定在所述点胶凹槽4内，硅胶8位于所述、点胶凹槽4、汇聚凹槽5、固晶胶6和发射芯片7外部； 所述第一基岛1和第二基岛2封装在光电耦合器的管壳内，焊线的一端连接至所述发射芯片7，另一端连接至所述第二基岛2的焊接区域3。
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