台湾积体电路制造股份有限公司贾汉中获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223859538U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423183163.6，技术领域涉及：H10D84/85；该实用新型半导体结构是由贾汉中;崔骥设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：一种半导体结构，包含第一晶体管，第一晶体管包含第一通道层及第一栅极结构；半导体结构还包含第二晶体管，第二晶体管包含第二通道层及第二栅极结构；半导体结构还包含接合结构，垂直位于第一晶体管与第二晶体管之间，接合结构包含第一介电接合层，附接至第一栅极结构；以及第一导电接合结构，形成通过第一介电接合层；接合结构还包含第二介电接合层，附接至第一介电接合层及第二栅极结构；以及第二导电接合结构，形成通过第二介电接合层，并接合至第一导电接合结构。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括: 一第一晶体管，其中该第一晶体管包括: 一第一通道层；及 一第一栅极结构，环绕该第一通道层； 一第二晶体管，其中该第二晶体管包括: 一第二通道层；及 一第二栅极结构，环绕该第二通道层； 一接合结构，垂直位于该第一晶体管与该第二晶体管之间，其中该接合结构包括: 一第一介电接合层，附接至该第一栅极结构； 一第一导电接合结构，形成通过该第一介电接合层； 一第二介电接合层，附接至该第一介电接合层及该第二栅极结构；以及 一第二导电接合结构，形成通过该第二介电接合层，并接合至该第一导电接合结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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