广东纽航电子科技有限公司燕云峰获国家专利权
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龙图腾网获悉广东纽航电子科技有限公司申请的专利一种窄基区大电流桥式整流器芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223859535U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423057058.8，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型一种窄基区大电流桥式整流器芯片是由燕云峰;李小芹;李小红;王小磊;肖贵明;赵丽祯;刘兴杨;肖兵;李小春;燕奥杰;燕韵寒设计研发完成，并于2024-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种窄基区大电流桥式整流器芯片在说明书摘要公布了：本申请涉及整流器芯片的技术领域，尤其涉及一种窄基区大电流桥式整流器芯片，其包括硅片，所述硅片由上至下包括P+层、N层、N+层，所述P+层与所述N层之间形成PN节，所述硅片周侧环绕设置有压电槽，所述压电槽由所述P+层顶面延展至N层并在N层顶面形成U形结构使所述N层边缘形成凸台，所述凸台宽度大于所述压电槽底部宽度，本申请有利于时减小基区厚度增加了电流正向导通时的功耗使得电流输出较大。
本实用新型一种窄基区大电流桥式整流器芯片在权利要求书中公布了：1.一种窄基区大电流桥式整流器芯片，其特征在于：包括硅片，所述硅片由上至下包括P+层、N层、N+层，所述P+层与所述N层之间形成PN节，所述硅片周侧环绕设置有压电槽，所述压电槽由所述P+层顶面延展至N层并在N层顶面形成U形结构使所述N层边缘形成凸台，所述凸台宽度大于所述压电槽底部宽度； 所述P+层13的厚度为25um，所述N+层11的厚度为25um，所述N层厚度为130um； 所述压电槽槽壁设置有覆盖其壁面的玻璃钝化层； 所述玻璃钝化层的厚度为10um； 所述P+层顶端的中部设置有焊接面，所述焊接面的边缘处设置有氧化带。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广东纽航电子科技有限公司，其通讯地址为：523000 广东省东莞市东城街道樟村大园路3号1栋301室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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