台湾积体电路制造股份有限公司黄一涵获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223859531U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423183191.8，技术领域涉及：H10D30/62；该实用新型半导体装置结构是由黄一涵;许祝源;游家权;张家豪;江国诚设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置结构在说明书摘要公布了：一种半导体装置结构。所述半导体装置结构包括外延结构以及电性连接到外延结构的半导体纳米结构。所述半导体装置结构还包括延伸跨越半导体纳米结构的金属栅极堆叠，且金属栅极堆叠具有栅极介电层以及栅极电极。所述半导体装置结构还包括在金属栅极堆叠以及外延结构上方的保护结构。栅极介电层的顶部介于保护结构的顶表面与保护结构的底表面之间。栅极介电层的顶部比金属栅极堆叠的顶部更靠近半导体纳米结构。
本实用新型半导体装置结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置结构，其特征在于，包括： 一外延结构； 一半导体纳米结构，电性连接到该外延结构； 一金属栅极堆叠，延伸跨越该半导体纳米结构，其中该金属栅极堆叠具有一栅极介电层以及一栅极电极；以及 一保护结构，在该金属栅极堆叠以及该外延结构上方，其中该栅极介电层的一顶部介于该保护结构的一顶表面与该保护结构的一底表面之间，且该栅极介电层的该顶部比该金属栅极堆叠的一顶部更靠近该半导体纳米结构。
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