中国电子科技集团公司第五十五研究所程冰获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利一种用于提高最大射频输入功率的FET晶体管及放大器结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223859121U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202423299727.2,技术领域涉及:H03F3/24;该实用新型一种用于提高最大射频输入功率的FET晶体管及放大器结构是由程冰;沈一鸣;陆予希设计研发完成,并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于提高最大射频输入功率的FET晶体管及放大器结构在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种用于提高最大射频输入功率的FET晶体管及放大器结构,上述FET晶体管中,采用二极管将FET晶体管的源极和栅极连接,二极管的负极与FET晶体管的栅极连接,二极管的正极与FET晶体管的源极或等效源极连接;所述二极管为单级二极管或多级二极管。上述放大器结构包括所述FET晶体管。本实用新型通过在放大器结构内部的FET晶体管进行改进,提高了放大器电路本身的最大射频输入功率性能,相较于现有技术都是通过限幅器、衰减器来限制输入功率,防止放大器损伤或烧毁,本实用新型能够提升放大器结构本身的最大射频输入功率性能,且结构紧凑尺寸小、损耗低。
本实用新型一种用于提高最大射频输入功率的FET晶体管及放大器结构在权利要求书中公布了:1.一种用于提高最大射频输入功率的FET晶体管,其特征在于,采用二极管将FET晶体管的源极和栅极连接,二极管的负极与FET晶体管的栅极连接,二极管的正极与FET晶体管的源极或等效源极连接。
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