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龙图腾网获悉安徽瑞德智能科技有限公司申请的专利一种便携式移动电源中的高压直流变换器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223859049U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520222385.X，技术领域涉及：H02M3/155；该实用新型一种便携式移动电源中的高压直流变换器是由汪军;邓云鹤设计研发完成，并于2025-02-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种便携式移动电源中的高压直流变换器在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种便携式移动电源中的高压直流变换器，包括处理芯片U1、第一电容C1、第二电容C2、第四至第十七电容C4～C17、第二十一电容C21、第二十三电容C23、第二十四电容C24、第一电感L1、第二电感L2、第一至第第四电阻R1～R4、第六至第八电阻R6～R8、第十至第二十二电阻R10～R22、第二十四电阻R24、第三十五电阻R35、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第一发光二极管LED1、第一至第三二极管D1～D3、第五二极管D5、第一电解电容EC1和第二电解电容EC2；直流变换器核心采用同步整流控制芯片MK9218，功率器件采用两个SGT型深沟槽高压低阻MOSFET，驱动频率设定在200Khz，控制方式采用强制PWM模式和仿真二极管模式。工作频率高，功率器件占用空间小，轻载及满载效率高，输出电压纹波小等优点。

本实用新型一种便携式移动电源中的高压直流变换器在权利要求书中公布了：1.一种便携式移动电源中的高压直流变换器，其特征在于，包括处理芯片U1、第一电容C1、第二电容C2、第四至第十七电容C4～C17、第二十一电容C21、第二十三电容C23、第二十四电容C24、第一电感L1、第二电感L2、第一至第第四电阻R1～R4、第六至第八电阻R6～R8、第十至第二十二电阻R10～R22、第二十四电阻R24、第三十五电阻R35、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第一发光二极管LED1、第一至第三二极管D1～D3、第五二极管D5、第一电解电容EC1和第二电解电容EC2； 所述第七电容C7、所述第八电容C8和所述第九电容C9并联后，一端接外部高电压，一端接地；所述第三十五电阻R35和所述第一电感L1并联后一端接外部高电压，另一端接所述第一电解电容EC1的输入端；所述第一电解电容EC1的另一端接地；所述第一电容C1、所述第二电容C2、所述第四电容C4、所述第五电容C5和所述第六电容C6并联后的一端接所述第一电解电容EC1的输入端，另一端接地； 所述第十电容C10的一端接地，另一端接所述处理芯片U1的VIN端；所述第四电阻R4的一端接所述第一电解电容EC1的输入端，另一端接所述处理芯片U1的VIN端； 所述第二电阻R2的一端接地，另一端接所述第三电阻R3的一端，所述第三电阻R3的另一端接所述处理芯片U1的EN端；所述第一电阻R1的一端接DC-VIN端，另一端接所述处理芯片U1的EN端； 所述第六电阻R6和所述第十一电容C11的一端均接所述第三电阻R3的一端，所述第六电阻R6的另一端接所述处理芯片U1的RT端，所述第十一电容C11的另一端接所述处理芯片U1的SSTRK端； 所述第十三电阻R13和所述第十五电容C15串联后与所述第十二电阻R12并联后一端接所述处理芯片U1的FB端，另一端接所述第十电阻R10的一端，所述第十电阻R10的另一端接外部12V电压；所述第八电阻R8和所述第十二电容C12串联后和所述第十四电容C14并联后一端接所述处理芯片U1的FB端，另一端接所述处理芯片U1的COMP端；所述第十七电阻R17的一端接所述处理芯片U1的FB端，另一端接地及所述处理芯片U1的AGND及NC端； 所述第二十电阻R20、第二十二电阻R22及所述发光二极管LED1串联后，输入端接所述处理芯片U1的SYNCI端，输出端接所述处理芯片U1的PG端； 所述第四电阻R4的一端接所述第一电解电容EC1的输入端，另一端接所述处理芯片U1的VIN端； 所述第一二极管D1和所述第七电阻R7并联后，输出端接所述处理芯片U1的HO端，输入端接所述第一三极管Q1及所述第十一电阻R11的一端，所述第一三极管Q1的另外两端分别连接所述第一电解电容EC1的输入端和所述处理芯片U1的SW端；所述第十三电阻R13的一端接所述处理芯片U1的BST端，另一端接所述处理芯片U1的SW端，所述第十一电阻R11的另一端接所述处理芯片U1的SW端；所述第二电感L2的一端接所述处理芯片U1的SW端，另一端接外部12V高电压；所述第二十一电阻R21和所述第二十三电容C23的一端接所述处理芯片U1的ILIM端，所述第二十一电阻R21另一端接所述处理芯片U1的SW端，所述第二十三电容C23的另一端接地；所述第二十四电容C24的一端接所述处理芯片U1的VCC端，另一端接地；所述第五二极管D5的输入端接外部12V高电压，输出端接所述处理芯片U1的VCC端； 所述第十四电阻R14一端接所述处理芯片U1的LO端，另一端接所述第十五电阻R15的一端，所述第十五电阻R15的另一端接所述第二三极管Q2及所述第十八电阻R18的一端，所述第十八电阻R18的另一端接地，所述第二三极管Q2的另外两端分别接所述处理芯片U1的SW端和接地；所述第二二极管D2的输出端和输入端分别接所述第十五电阻R15的一端和另一端；所述第三二极管D3的输入端接地，输出端接所述处理芯片U1的SW端，所述第二电感L2的一端接所述处理芯片U1的SW端，另一端接外部12V高电压；所述第十六电阻R16和所述第十六电容C16串联后，一端接所述处理芯片U1的SW端，另一端接地；所述第二电解电容EC2、所述第十七电容C17和所述第二十一电容C21并联后，输入端接外部12V高电压，另一端接地及所述第十九电阻R19的一端，所述第十九电阻R19的另一端接地。

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