天津中科晶禾电子科技有限责任公司冯策获国家专利权
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龙图腾网获悉天津中科晶禾电子科技有限责任公司申请的专利超原子束源磁筛选装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223858130U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520337678.2，技术领域涉及：H01J37/05；该实用新型超原子束源磁筛选装置是由冯策;宋伟健;母凤文;刘福超;郭超;谭向虎设计研发完成，并于2025-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本超原子束源磁筛选装置在说明书摘要公布了：本实用新型属于半导体加工技术领域，公开了一种超原子束源磁筛选装置。该超原子束源磁筛选装置包括外壳和位于外壳内的筒形件，筒形件设有内部通道，通过设置外壳和筒形件，并在外壳和筒形件之间设置磁阵列，使得在内部通道中形成由通道中心区域到通道边缘逐渐增强的磁场，利用筒形件内部通道即可筛除被离子化束源中的单原子离子；具体为当被离子化束源进入内部通道后，在磁场作用下，超原子离子穿过内部通道，单原子离子偏离内部通道中心打在内部通道壁面上后消失或偏离通道中心射出内部通道后消失，从而将单原子离子筛除，保留并提高超原子离子的占比，有效地提升工艺效果。
本实用新型超原子束源磁筛选装置在权利要求书中公布了：1.超原子束源磁筛选装置，其特征在于，包括外壳10和位于所述外壳10内的筒形件20，所述筒形件20设有内部通道21，所述内部通道21用于筛除被离子化束源中的单原子离子； 所述外壳10和所述筒形件20之间设有磁阵列30，所述磁阵列30环绕所述筒形件20外周设置，并在所述内部通道21中形成由通道中心区域到通道边缘增强的磁场，以使所述被离子化束源中的超原子离子穿过所述内部通道21，且所述单原子离子偏离所述内部通道21中心打在所述内部通道21壁面上后消失或偏离所述内部通道21中心射出所述内部通道21后消失。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天津中科晶禾电子科技有限责任公司，其通讯地址为：300451 天津市滨海新区塘沽海洋科技园新北路4668号创新创业园22-A号厂房二层C角；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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