大立光电股份有限公司蔡温祐获国家专利权
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龙图腾网获悉大立光电股份有限公司申请的专利成像镜头与电子装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223857484U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520157400.7，技术领域涉及：G02B13/00；该实用新型成像镜头与电子装置是由蔡温祐;范丞纬;周明达;张建邦;朱国强设计研发完成，并于2025-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本成像镜头与电子装置在说明书摘要公布了：一种成像镜头与电子装置，成像镜头包含一光学元件与一抗反射薄膜。一成像光线穿透光学元件，且光学元件具有一注料痕。抗反射薄膜设置于光学元件的至少部分表面上，且包含一纳米结构层与一中介层。纳米结构层具有非定向延伸的多个脊状凸起，其中各脊状凸起的一底部较一顶部靠近光学元件，且各脊状凸起自底部向顶部渐缩。中介层设置于光学元件与纳米结构层之间，且包含至少二第一介质层及至少一第二介质层，其中第二介质层的折射率与各第一介质层的折射率不同，且第二介质层设置于第一介质层之间。借此，可维持低反射性能。
本实用新型成像镜头与电子装置在权利要求书中公布了：1.一种成像镜头，其特征在于，包含： 一光学元件，一成像光线穿透该光学元件，且该光学元件具有一注料痕；以及 一抗反射薄膜，设置于该光学元件的至少部分表面上，且包含： 一纳米结构层，具有非定向延伸的多个脊状凸起，其中各该脊状凸起的一底部较一顶部靠近该光学元件，且各该脊状凸起自该底部向该顶部渐缩；及 一中介层，设置于该光学元件与该纳米结构层之间，且包含： 至少二第一介质层；及 至少一第二介质层，该至少一第二介质层的折射率与各该第一介质层的折射率不同，且该至少一第二介质层设置于该至少二第一介质层之间； 其中，各该第一介质层的厚度为LT1，该至少一第二介质层的厚度为LT2，其满足下列条件： 42nmLT1112nm；以及 1nmLT235nm。
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