深圳市飞荣达科技股份有限公司陈军获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市飞荣达科技股份有限公司申请的专利一种密封结构及具有其的门获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223854128U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202423027642.9,技术领域涉及:E06B7/22;该实用新型一种密封结构及具有其的门是由陈军;刘广萍设计研发完成,并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种密封结构及具有其的门在说明书摘要公布了:本申请提供一种密封结构及具有其的门,包括:用于密封外部门框与外部门体的密封主体、弹性支撑件及电磁屏蔽层;密封主体设置有用以连接外部门框的卡合部及用以抵接外部门体的抵接部;密封主体内开设有容纳腔,容纳腔介于卡合部与抵接部之间,弹性支撑件位于容纳腔内,且沿密封主体的轴向方向分布,用以支撑密封主体;密封主体的外表面设置有电磁屏蔽层,电磁屏蔽层以卡合部的开口处为出发点,沿密封主体的周向方向分布。本申请提供了一种密封结构及具有其的门,具有良好的弹性、耐候性与电磁屏蔽性能,能够适应多样化的密封环境,以用户的实际使用需求。
本实用新型一种密封结构及具有其的门在权利要求书中公布了:1.一种密封结构,其特征在于,包括:用于密封外部门框与外部门体的密封主体、弹性支撑件及电磁屏蔽层; 所述密封主体设置有用以连接所述外部门框的卡合部及用以抵接所述外部门体的抵接部; 所述密封主体内开设有容纳腔,所述容纳腔介于所述卡合部与所述抵接部之间,所述弹性支撑件位于所述容纳腔内,且沿所述密封主体的轴向方向分布,用以支撑所述密封主体; 所述密封主体的外表面设置有所述电磁屏蔽层,所述电磁屏蔽层以所述卡合部的开口处为出发点,沿所述密封主体的周向方向分布。
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