上海裕芯电子科技有限公司孙海获国家专利权
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龙图腾网获悉上海裕芯电子科技有限公司申请的专利一种断电短时记忆的芯片电路架构及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120951915B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511475733.5，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权一种断电短时记忆的芯片电路架构及方法是由孙海;付春国设计研发完成，并于2025-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种断电短时记忆的芯片电路架构及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种断电短时记忆的芯片电路架构，涉及计时芯片集成电路设计领域，包括：片外供电模块，所述片外供电模块由片外电源VIN供电，所述片外供电模块输出通信信号CLK，所述通信信号CLK设置为芯片电路架构识别和处理的最小脉冲时间；片内供电模块，所述片内供电模块由片内电源VDD供电，所述片内供电模块与片外供电模块连接，并接收通信信号CLK；二极管，所述片外电源VIN通过所述二极管向片内电源VDD供电，能够在芯片断电后继续保持计时状态，有断电后短时存储能力，避免中间态，减小功耗。
本发明授权一种断电短时记忆的芯片电路架构及方法在权利要求书中公布了：1.一种断电短时记忆的芯片电路架构，其特征在于，包括： 片外供电模块，所述片外供电模块由片外电源VIN供电，所述片外供电模块输出通信信号CLK，所述通信信号CLK设置为芯片电路架构识别和处理的最小脉冲时间； 片内供电模块，所述片内供电模块由片内电源VDD供电，所述片内供电模块与片外供电模块连接，并接收通信信号CLK；所述片内供电模块包括寄存器电路，所述寄存器电路通过反相器与片外供电模块连接，所述寄存器电路连接片内电源VDD并接地；所述片内供电模块还包括寄存器供电电容，所述寄存器供电电容与所述寄存器电路并联，所述寄存器供电电容的一端连接片内电源VDD，所述寄存器供电电容的另一端接地； 二极管，所述片外电源VIN通过所述二极管向片内电源VDD供电；当片外电源VIN大于片内电源VDD时，VIN通过二极管为片内电源VDD充电；当片外电源VIN小于片内电源VDD时，二极管截止，所述寄存器供电电容为所述寄存器电路供电。
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