华中科技大学陈德智获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种回折母线结构及采用回折母线的电流测量装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120559297B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510657448.9，技术领域涉及：G01R19/00；该发明授权一种回折母线结构及采用回折母线的电流测量装置是由陈德智;李冬;左晨;刘辉设计研发完成，并于2025-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种回折母线结构及采用回折母线的电流测量装置在说明书摘要公布了：本发明属于电力系统电流测量相关技术领域，其公开了一种回折母线结构及采用回折母线的电流测量装置。回折母线结构包括回折母线和磁屏蔽。回折母线包括并列延伸的进线母线和出线母线，二者在末端短接；进线母线和出线母线呈对称的凹陷形状，二者对扣的空间用于放置磁传感器以经过磁电转换检测回折母线中的电流。磁屏蔽为沿母线长度方向延伸的中空层，回折母线置于磁屏蔽内。在本发明中，回折母线采用一对导体相扣而成，可以在两导体之间的空间产生均匀或者接近于均匀的磁场，减小磁场传感器的位置偏差造成的误差，提高电流测量精度；回折母线被测电流一进一出的结构对外总电流为零，可以避免磁屏蔽饱和，提高电流测量精度。
本发明授权一种回折母线结构及采用回折母线的电流测量装置在权利要求书中公布了：1.一种回折母线结构，其特征在于，包括回折母线和磁屏蔽，所述回折母线包括并列延伸的进线母线和出线母线，二者在一侧的末端短接；所述进线母线和所述出线母线呈对称的凹陷形状且两所述凹陷形状对扣，两所述凹陷形状对扣形成的内部空间用于放置磁传感器；所述磁屏蔽为沿母线长度方向延伸的中空层，所述回折母线置于所述磁屏蔽内。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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