重庆芯联微电子有限公司池国维获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆芯联微电子有限公司申请的专利蚀刻装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223844220U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520047622.3，技术领域涉及：H10P72/00；该实用新型蚀刻装置是由池国维设计研发完成，并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本蚀刻装置在说明书摘要公布了：本实用新型涉及半导体技术领域，提供了一种蚀刻装置，包括：壳体、匀化件、承片台和供料单元；所述壳体内具有雾化蚀刻腔，所述承片台设置于所述雾化蚀刻腔内，所述承片台上具有承载面；所述匀化件设置于所述壳体，所述匀化件上开设有多个匀化孔，所述匀化孔的出口与所述雾化蚀刻腔连通，所述供料单元用于向所述匀化孔的进口供入雾化的化学品。上述蚀刻装置保证较好的蚀刻表面，且对深宽比较高的三维结构的损伤较小，降低蚀刻成本。
本实用新型蚀刻装置在权利要求书中公布了：1.一种蚀刻装置，其特征在于，包括：壳体、匀化件、承片台和供料单元； 所述壳体内具有雾化蚀刻腔，所述承片台设置于所述雾化蚀刻腔内，所述承片台上具有承载面； 所述匀化件设置于所述壳体，所述匀化件上开设有多个匀化孔，所述匀化孔的出口与所述雾化蚀刻腔连通，所述供料单元用于向所述匀化孔的进口供入雾化的化学品。
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