扬州乾照光电有限公司李晓静获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州乾照光电有限公司申请的专利一种LED外延结构及LED芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223844171U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520298614.6，技术领域涉及：H10H20/815；该实用新型一种LED外延结构及LED芯片是由李晓静;李皇;陈森煜;段梦寒;曹金如;钟秉宪设计研发完成，并于2025-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LED外延结构及LED芯片在说明书摘要公布了：本申请提供了一种LED外延结构及LED芯片，涉及半导体发光二极管技术领域。本申请提供的LED外延结构采用N型临时衬底的结构设计，降低了LED外延结构及芯片的制备成本；并且采用复合缓冲层的结构设计，实现了从N型材料向P型材料的过渡，减少了晶格缺陷的产生，提高了LED外延结构的制备质量。本申请提供的LED芯片实现了N型和P型的倒置外延结构，使得LED芯片在器件区处形成裸露N型层的台面结构，并且由于N型层的载流子迁移率大于P型层的载流子迁移率，使得LED芯片在台面结构处的电流扩展效果更高，改善了LED芯片的电流扩展能力，提升了LED芯片的光电性能及抗静电能力，提高了LED芯片的性能。
本实用新型一种LED外延结构及LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构包括： 依次叠加生长的N型临时衬底、复合缓冲层、P型腐蚀截止层、P型欧姆接触层、P型层、有源层和N型层； 所述复合缓冲层包括依次叠加生长的N型缓冲层、非掺杂缓冲层和P型缓冲层，其中，所述N型缓冲层位于所述N型临时衬底和所述非掺杂缓冲层之间。
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