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龙图腾网获悉珠海百亚电子科技有限公司申请的专利一种稳定冲边的半导体硅片分片装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223844165U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423297790.2，技术领域涉及：H10F71/00；该实用新型一种稳定冲边的半导体硅片分片装置是由彭宇;马子昂;林靖淇;林立设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种稳定冲边的半导体硅片分片装置在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种稳定冲边的半导体硅片分片装置，包括分片组件，分片组件包括弯曲模块、举升模块、固定支架和冲边模块；在弯曲分片状态时，支撑架朝下移动，除去固定连接的吸附块以外的其他吸附块在重力作用下朝下转动，多个吸附平面非共面，相对的两个下止动面邻接，冲边柱的冲边移动方向与位于边缘的吸附块的吸附平面之间呈钝角夹角。本案通过冲边移动方向与半导体硅片的废料边之间呈钝角夹角，利用冲边角度的优化，避免裂痕的扩展，提高产品的加工良率。另外，通过多个冲边模块可分别对两个废料边进行冲边，且通过在同一侧设置多个冲边模块，不仅提高冲边的效率，也提高单边冲边的受力均匀地，其可更进一步提高冲边稳定性。

本实用新型一种稳定冲边的半导体硅片分片装置在权利要求书中公布了：1.一种稳定冲边的半导体硅片分片装置，其特征在于，包括分片组件，所述分片组件包括弯曲模块、举升模块、固定支架和冲边模块； 所述弯曲模块包括至少两个吸附块，所述吸附块沿X水平方向延伸，多个所述吸附块沿Y水平方向排布，所述吸附块上设置有沿所述X水平方向延伸的吸附平面，所述吸附平面上设置有吸附孔，所述吸附块内设置有与所述吸附孔连通的吸附管道，所述吸附管道的外端设置有接口，所述吸附块在所述吸附平面基于所述Y水平方向的边缘设置有铰接部，所述铰接部沿所述X水平方向延伸，相邻的两个所述铰接部铰接，所述固定支架与其中一个所述吸附块固定连接，其他的所述吸附块绕所述X水平方向转动，所述吸附块在所述铰接部的下方设置有下止动面； 所述举升模块包括举升驱动装置和支撑架，所述支撑架沿所述Y水平方向延伸，所述支撑架位于多个所述吸附块的下方，所述举升驱动装置与所述支撑架连接并驱动所述支撑架沿Z轴竖直方向移动； 所述冲边模块包括冲边支架、冲边驱动装置和冲边柱，所述冲边驱动装置固定连接在所述冲边支架上，所述冲边驱动装置与所述冲边柱连接并驱动所述冲边柱沿所述Y水平方向移动，所述冲边柱位于所述弯曲模块基于所述Y水平方向的侧部； 在平直承托状态时，所述支撑架朝上移动对多个所述吸附块承托，多个所述吸附平面水平共面，相对的两个所述下止动面之间具有活动间隙； 在弯曲分片状态时，所述支撑架朝下移动，除去固定连接的所述吸附块以外的其他所述吸附块在重力作用下朝下转动，多个所述吸附平面非共面，相对的两个所述下止动面邻接，所述冲边柱的冲边移动方向与位于边缘的所述吸附块的所述吸附平面之间呈钝角夹角。

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