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厦门伊科电子有限公司马坤林获国家专利权

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龙图腾网获悉厦门伊科电子有限公司申请的专利一种抑制EMI的大漏感耦合电感结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223842731U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520320768.0,技术领域涉及:H01F27/26;该实用新型一种抑制EMI的大漏感耦合电感结构是由马坤林;罗辉设计研发完成,并于2025-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。

一种抑制EMI的大漏感耦合电感结构在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种抑制EMI的大漏感耦合电感结构,属于电感技术领域,包括磁芯,磁芯的两端外侧壁绕设有线圈,磁芯的两侧设置有磁棒,线圈远离磁芯的一侧与磁棒贴合,磁棒的外侧壁套设有屏蔽层,磁芯由纳米晶和非晶材料制成,磁棒为锰锌材质,磁棒为矩形,磁芯设置有两个,磁芯为U型,两个磁芯的两端相连接。该抑制EMI的大漏感耦合电感结构,通过设置的磁芯、线圈和磁棒,由两个磁芯首尾相连,将线圈绕设在磁芯的连接处,在磁芯的两侧加装磁棒,通过由纳米晶和非晶材料制成的磁芯提供高饱和磁通密度和磁芯低损耗,并且通过增加两根锰锌制成矩形的磁棒,提升装置的漏感,从而有助于抑制交流侧的电磁干扰。

本实用新型一种抑制EMI的大漏感耦合电感结构在权利要求书中公布了:1.一种抑制EMI的大漏感耦合电感结构,包括磁芯1,其特征在于,所述磁芯1的两端外侧壁绕设有线圈2,所述磁芯1的两侧设置有磁棒3,所述线圈2远离磁芯1的一侧与磁棒3贴合,所述磁棒3的外侧壁套设有屏蔽层4,所述磁芯1由纳米晶和非晶材料制成,所述磁棒3为锰锌材质,所述磁棒3为矩形。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人厦门伊科电子有限公司,其通讯地址为:361021 福建省厦门市集美区集美北大道1068-5号5层;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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