武汉钧恒科技有限公司方文银获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉钧恒科技有限公司申请的专利一种800G DR8硅光模块获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223842193U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520524644.4，技术领域涉及：G02B6/42；该实用新型一种800G DR8硅光模块是由方文银;严雄武;彭开盛设计研发完成，并于2025-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种800G DR8硅光模块在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种800GDR8硅光模块，PCB板上固定至少一个PD芯片阵列，每个PD芯片阵列各与一个RX光纤阵列相耦合，RX光纤阵列中的盖板与PCB板固定，每个PD芯片阵列两侧分别布置一个与PCB板相固定的保护块，每个保护块均有部分区域处在与该PD芯片阵列相耦合的RX光纤阵列中基板尖端的下方，保护块的上表面比PD芯片阵列高。有益效果为：通过在每个PD芯片阵列的两侧分别布设一个保护块，在实际生产过程中，即使存在光纤阵列耦合夹头夹不平的情况，RX光纤阵列的尖端也只会碰到保护块，而不会碰到PD芯片阵列，从而对PD芯片阵列进行保护，以避免PD芯片阵列损坏。
本实用新型一种800G DR8硅光模块在权利要求书中公布了：1.一种800GDR8硅光模块，其特征在于，包括：PCB板1以及RX光纤阵列3，所述PCB板1上固定至少一个PD芯片阵列2，每个PD芯片阵列2各与一个RX光纤阵列3相耦合，所述RX光纤阵列3中的盖板310与PCB板1固定，每个PD芯片阵列2两侧分别布置一个与PCB板1相固定的保护块4，每个保护块4均有部分区域处在与该PD芯片阵列2相耦合的RX光纤阵列3中基板尖端的下方，所述保护块4的上表面比PD芯片阵列2高。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉钧恒科技有限公司，其通讯地址为：430073 湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷三路777号3号电子厂房5楼南面；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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