苏州清煜半导体科技有限公司杨倩倩获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州清煜半导体科技有限公司申请的专利一种液相法生长碳化硅单晶用维持铝源供应的生长装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223837643U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520035660.7，技术领域涉及：C30B29/36；该实用新型一种液相法生长碳化硅单晶用维持铝源供应的生长装置是由杨倩倩;况家仪;苏奕霖设计研发完成，并于2025-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种液相法生长碳化硅单晶用维持铝源供应的生长装置在说明书摘要公布了：本实用新型涉及碳化硅单晶生产设备技术领域，具体涉及一种液相法生长碳化硅单晶用维持铝源供应的生长装置，包括外加热坩埚、籽晶组件以及石墨坩埚组件；石墨坩埚组件设置在外加热坩埚内；籽晶组件设置在石墨坩埚组件的上方并延伸到石墨坩埚组件内；石墨坩埚组件包括顶部开口的坩埚本体，封盖在坩埚本体上的顶盖以及设置在坩埚本体内的石墨侧板；石墨侧板与坩埚本体同轴设置，并且石墨侧板将坩埚本体内部分隔成两个腔室，两个腔室包括用于容置碳化硅单晶生长所用硅料的内生长腔、用于容纳Al补充料的Al夹腔。该生长装置能够有效分隔了铝、碳的供应阶段，确保在晶体生长的不同阶段能够根据需要供应足够的碳、铝。
本实用新型一种液相法生长碳化硅单晶用维持铝源供应的生长装置在权利要求书中公布了：1.一种液相法生长碳化硅单晶用维持铝源供应的生长装置，其特征在于，包括外侧面设置有保温层和加热器的外加热坩埚7、籽晶组件8以及石墨坩埚组件；所述石墨坩埚组件设置在所述外加热坩埚7内；所述籽晶组件8设置在所述石墨坩埚组件的上方并延伸到所述石墨坩埚组件内； 所述石墨坩埚组件包括顶部开口的坩埚本体1，封盖在坩埚本体1上的顶盖3以及设置在坩埚本体1内的石墨侧板2；所述石墨侧板2与所述坩埚本体1同轴设置，并且所述石墨侧板2将所述坩埚本体1内部分隔成两个腔室，两个所述腔室包括用于容置碳化硅单晶生长所用硅料41的内生长腔4、用于容纳Al补充料51的Al夹腔5。
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