重庆芯联微电子有限公司林英乔获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆芯联微电子有限公司申请的专利一种具有散热结构的AMAT PVD机台获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223837543U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520123539.X，技术领域涉及：C23C14/35；该实用新型一种具有散热结构的AMAT PVD机台是由林英乔设计研发完成，并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有散热结构的AMAT PVD机台在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种具有散热结构的AMATPVD机台，包括反应腔室和位于所述反应腔室上方的保护罩，所述保护罩在进行反应时覆盖在所述反应腔室上，以阻挡反应过程中产生的溅射物飞溅，所述保护罩的至少一个侧面上安装有散热结构，用于将反应腔室内的热量带到外界。本实用新型通过在保护罩的侧面上安装散热结构，有效解决了在物理气相沉积过程中靶材温度升高带来的诸如金属薄膜内部结构改变、成膜后阻值变化等问题，从而避免了因靶材温度不稳定对薄膜质量和性能造成的不良影响，确保了薄膜沉积的质量和均匀性。
本实用新型一种具有散热结构的AMAT PVD机台在权利要求书中公布了：1.一种具有散热结构的AMATPVD机台，其特征在于，包括反应腔室1和位于所述反应腔室1上方的保护罩2，所述保护罩2在进行反应时覆盖在所述反应腔室1上，以阻挡反应过程中产生的溅射物飞溅，所述保护罩2的至少一个侧面上安装有散热结构3，用于将反应腔室1内的热量带到外界。
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