山东管理学院毛园园获国家专利权
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龙图腾网获悉山东管理学院申请的专利碳化硅外延层厚度红外光测量方法、系统、介质及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121185195B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511734868.9，技术领域涉及：G01B11/06；该发明授权碳化硅外延层厚度红外光测量方法、系统、介质及设备是由毛园园;刘佳音;孔硕;刘瑞设计研发完成，并于2025-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅外延层厚度红外光测量方法、系统、介质及设备在说明书摘要公布了：本发明提出一种碳化硅外延层厚度红外光测量方法、系统、介质及设备，涉及厚度测量技术领域。基于双光束干涉模型，考虑空气‑外延层、外延层‑衬底界面反射，推导光程差与总相位差，根据外延层与衬底折射率关系构建厚度通用求解模型；采用滑动窗口划分光谱区间，利用不同色散模型计算各区间厚度，按照相对标准偏差分配权重加权融合，得到综合厚度求解模型；拓展至多光束干涉模型，推导总反射率公式，分析多光束干涉必要条件及厚度误差；获取待测碳化硅外延片，联合Airy公式与色散模型建拟合模型消除误差，得到厚度测量结果。实现对碳化硅外延层厚度的高精度、高可靠性非破坏性测量，解决传统简化模型带来的系统性误差及结果可靠性不足问题。
本发明授权碳化硅外延层厚度红外光测量方法、系统、介质及设备在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅外延层厚度红外光测量方法，其特征在于，包括： 基于双光束干涉模型，考虑光在空气-外延层界面和外延层-衬底界面的反射，推导两束反射光之间的光程差与总相位差；根据外延层与衬底折射率的相对大小，建立外延层厚度的通用求解模型； 采用滑动窗口划分光谱样本的光谱区间，并分别基于不同色散模型计算各区间厚度；通过计算各区间与各模型的相对标准偏差分配权重，进行加权融合，优化通用求解模型得到综合厚度求解模型； 将双光束干涉模型拓展至多光束干涉模型，通过复振幅叠加和斯托克斯原理推导总反射率公式，并分析多光束干涉发生的必要条件及产生的厚度误差； 获取待测量碳化硅外延片，基于所述必要条件验证多光束干涉可行性，联合Airy公式与色散模型构建拟合综合厚度求解模型消除所述厚度误差，得到厚度测量结果。
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