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龙图腾网获悉内蒙古大全新能源研究院有限公司申请的专利一种基于多参数耦合的区熔用多晶硅质量检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121049312B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511557895.3，技术领域涉及：G01N23/203；该发明授权一种基于多参数耦合的区熔用多晶硅质量检测方法是由马英英;赵星;张泽玉设计研发完成，并于2025-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于多参数耦合的区熔用多晶硅质量检测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于多参数耦合的区熔用多晶硅质量检测方法，包括以下步骤：S1、样片制备，S2、样片表面处理，S3、样片表面扫描，S4、扫描数据处理，S5、原料质量分析。优点在于：通过氩离子抛光结合EBSD电子背散射衍射仪，突破传统表面蚀刻的局限性，能够三维分析多晶硅内部晶粒尺寸、分布及晶界形态，更准确地反映多晶硅的物理生长形态和质量特性。基于晶粒均匀性标准的原料筛选，为在拉制前有效选择合格的区熔用多晶硅原料提供了科学、合理且有效的依据，可规避因微晶未熔融引发的位错化问题，从而显著提升单晶拉晶的成功率，减少原料浪费，降低生产成本；同时也可为多晶硅棒的采购和外销价格提供参考。

本发明授权一种基于多参数耦合的区熔用多晶硅质量检测方法在权利要求书中公布了：1.一种基于多参数耦合的区熔用多晶硅质量检测方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、样片制备：在待测原料多晶硅棒表面选取无裂纹区域，使用空心钻头横向钻取一个棒状样品，将所述棒状样品切割成片状样品，再对片状样品进行表面打磨，得到样片； S2、样片表面处理：使用氩离子抛光机对所述S1、样片制备中制备的样片进行两次抛光，得到抛光样片；其中： 第一步粗抛：采用电压7-9kV，入射角2.5-3°，液氮制冷保护温度0℃，抛光时间1.5-2h； 第二步细抛：采用电压3-5kV，入射角2.5-3°，液氮制冷保护温度0℃，抛光时间1.5-2h； S3、样片表面扫描：使用EBSD电子背散射衍射仪对所述S2、样片表面处理后得到的抛光样片进行表面扫描，得到扫描数据；所述扫描数据包括：所述抛光样片表面检测区域内的所有晶粒的平均等效圆直径、面积、周长、最大费雷特直径、拟合椭圆长轴短轴、拟合椭圆角度、拟合椭圆长宽比、晶粒纵横比、重心X重心Y、晶内平均取向差； 由上述扫描参数经简单计算可得出计算参数①平均圆度、②尺寸变异系数、③椭圆角度集中度、④有效晶粒密度、⑤空间不均匀度； S4、扫描数据处理：根据所述S3、样片表面扫描中得到的扫描数据，分别计算样品的特征参数，所述特征参数包括熔融一致性指数MCI、热应力抗性指数TSRI以及晶界稳定性指数GSI； 所述熔融一致性指数的计算方法为： 其中，MCI为所述熔融一致性指数； 所述热应力抗性指数的计算方法为： 其中，TSRI为所述热应力抗性指数； 所述晶界稳定性指数的计算方法为： 其中，GSI为所述晶界稳定性指数； S5、原料质量分析：根据所述S4、扫描数据处理中得到的所述特征参数，利用原料质量分析标准对所述待测原料多晶硅棒的质量进行分析。

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