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龙图腾网获悉上海岚玥新材料科技有限公司申请的专利一种基于晶体生长热场温度控制方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121046958B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511615779.2，技术领域涉及：G06F30/27；该发明授权一种基于晶体生长热场温度控制方法及系统是由赵兵;付善任;康晓丽设计研发完成，并于2025-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于晶体生长热场温度控制方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及晶体生长控制技术领域，公开了一种基于晶体生长热场温度控制方法及系统。该方法包括获取晶体生长过程中的热场温度分布数据，结合晶体生长速率和材料相变参数，确定热场温度控制的关键影响因子。根据热场温度分布数据和关键影响因子，分析热场温度与晶体生长质量之间的映射关系。采集历史热场温度调节记录和晶体缺陷数据，结合热场温度动态调节模型，生成温度调节策略集合。基于温度调节策略集合，模拟不同调节策略下的热场温度变化趋势，提取温度变化趋势中的稳定性特征和响应速度特征。根据稳定性特征和响应速度特征，筛选最优温度调节策略，结合实时热场温度监测数据，动态调整晶体生长热场的温度控制参数。

本发明授权一种基于晶体生长热场温度控制方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于晶体生长热场温度控制方法，其特征在于，包括以下步骤： 获取晶体生长过程中的热场温度分布数据，结合晶体生长速率和材料相变参数，确定热场温度控制的关键影响因子； 根据热场温度分布数据和关键影响因子，建立热场温度动态调节模型，分析热场温度与晶体生长质量之间的映射关系； 采集历史热场温度调节记录和晶体缺陷数据，结合热场温度动态调节模型，生成温度调节策略集合； 基于温度调节策略集合，模拟不同调节策略下的热场温度变化趋势，提取温度变化趋势中的稳定性特征和响应速度特征； 根据稳定性特征和响应速度特征，筛选最优温度调节策略，结合实时热场温度监测数据，动态调整晶体生长热场的温度控制参数； 所述确定热场温度控制的关键影响因子，包括： 对热场温度分布数据进行区域划分，提取各区域的温度梯度数据； 分析温度梯度数据与晶体生长速率之间的相关性，识别温度波动敏感区域； 结合材料相变参数，计算温度波动敏感区域的热传导效率偏差值； 根据热传导效率偏差值，确定热场温度控制的关键影响因子及其优先级。

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