合肥晶合集成电路股份有限公司田矢真敏获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121038332B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511563664.3，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权一种半导体器件是由田矢真敏;石田浩设计研发完成，并于2025-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件，属于半导体技术领域，所述器件包括：衬底，其内间隔设置源极区域和漂移区域；隔离结构，设置于衬底内以划分有源区，第一隔离结构从源极区域朝向漂移区域延伸，第二隔离结构设置于漂移区域，且在第一隔离结构正交方向上延伸；有源区包括第一边界和第二边界，第一边界为有源区和第一隔离结构的边界，第二边界为有源区和第二隔离结构的边界，第一边界和第二边界的交叉点为角部；栅极氧化层，设置在有源区上；栅极电极，设置于栅极氧化层上，且栅极电极与第一隔离结构和第二隔离结构重叠，栅极电极在角部上设置开口部或者剪切部。通过本发明提供的半导体器件，能够降低栅极氧化层的厚度并缩小半导体器件的尺寸。
本发明授权一种半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底内间隔设置源极区域和漂移区域； 隔离结构，设置于所述衬底内以划分有源区，并包括第一隔离结构和第二隔离结构，第一隔离结构从所述源极区域朝向所述漂移区域延伸，第二隔离结构设置于所述漂移区域，且在所述第一隔离结构正交方向上延伸；所述有源区包括第一边界和第二边界，所述第一边界为所述有源区和所述第一隔离结构的边界，所述第二边界为所述有源区和所述第二隔离结构的边界，所述第一边界和第二边界的交叉点为角部； 栅极氧化层，设置在所述有源区上； 栅极电极，设置于所述栅极氧化层上，且所述栅极电极与第一隔离结构和第二隔离结构重叠，所述栅极电极在所述角部上设置开口部或者剪切部。
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