合肥晶合集成电路股份有限公司杨兰获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利MIM电容器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121038296B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511576119.8，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权MIM电容器及其制作方法是由杨兰;桑华煜;汪华设计研发完成，并于2025-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本MIM电容器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种MIM电容器及其制作方法，所述方法包括：提供包括器件区与虚拟区的基底，在基底内形成第一浅沟槽；在第一浅沟槽内填充第一多晶硅；刻蚀第一多晶硅在第一浅沟槽内形成第二浅沟槽；在第二浅沟槽内填充介质层；刻蚀介质层在第二浅沟槽内形成第三浅沟槽；在第三浅沟槽内填充第二多晶硅；对虚拟区内的第一多晶硅与第二多晶硅进行离子注入形成下极板与上极板。本发明在前段工艺中制作MIM电容器，不需要额外的掩膜版，与现有技术相比，节省了一张掩膜版的使用，降低了生产成本；同时，本发明的MIM电容器不占据金属层的面积，增加了芯片主体使用面积，提高了器件的集成度。
本发明授权MIM电容器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种MIM电容器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供基底，所述基底包括器件区与虚拟区，在所述器件区与所述虚拟区的所述基底内形成第一浅沟槽； 在所述第一浅沟槽内填充第一多晶硅，所述第一多晶硅填满所述第一浅沟槽； 刻蚀所述第一多晶硅保留所述第一浅沟槽侧壁上部分厚度的所述第一多晶硅，在所述第一浅沟槽内形成第二浅沟槽； 在所述第二浅沟槽内填充介质层，所述介质层填满所述第二浅沟槽； 刻蚀所述介质层保留所述第二浅沟槽侧壁上部分厚度的所述介质层，在所述第二浅沟槽内形成第三浅沟槽； 在所述第三浅沟槽内填充第二多晶硅，所述第二多晶硅填满所述第三浅沟槽；以及 对所述虚拟区内的所述第一多晶硅与所述第二多晶硅进行离子注入形成下极板与上极板。
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