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深圳市优彩佳科技有限公司段天福获国家专利权

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龙图腾网获悉深圳市优彩佳科技有限公司申请的专利用于键盘的电磁屏蔽结构、其制作方法及键盘获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121038261B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511565672.1,技术领域涉及:H05K9/00;该发明授权用于键盘的电磁屏蔽结构、其制作方法及键盘是由段天福设计研发完成,并于2025-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

用于键盘的电磁屏蔽结构、其制作方法及键盘在说明书摘要公布了:本发明涉及电磁屏蔽装置的技术领域,提出了一种用于键盘的电磁屏蔽结构、其制作方法及键盘。该结构设置于键盘上盖下盖内表面或覆盖于印刷电路板上的绝缘覆盖层表面,主要包括:电连续的反射层,沿目标区域延伸并经周边接地走线与键盘地线导通;设于反射层上的吸收层,在吸收层与反射层中形成图案化开口,其深度限定于两层之间以使反射层在图案化开口下方保持电连续;以及覆盖吸收层的保护层,填充图案化开口并与反射层接触。因此,可在目标频段降低透射与再辐射、抑制腔体与缝隙共振,兼顾背光通道避让与薄型化。

本发明授权用于键盘的电磁屏蔽结构、其制作方法及键盘在权利要求书中公布了:1.一种用于键盘的电磁屏蔽结构,设置于键盘的承载面上,其特征在于,所述电磁屏蔽结构由内至外依序包括: 反射层,设于所述承载面,所述反射层为电连续导电层且所述反射层延伸覆盖对应目标区域;其中,所述承载面为键盘上盖和或下盖的内表面,或覆盖于键盘印刷电路板上方的绝缘覆盖层的表面;所述反射层电连接至设于所述电磁屏蔽结构周边的接地走线,以导通至键盘地线; 吸收层,设于所述反射层上,所述吸收层与所述反射层中形成有图案化开口,且所述图案化开口沿所述承载面法向的深度限定在所述吸收层与所述反射层之间,使所述反射层在所述图案化开口区域下方保持电连续;以及 保护层,覆盖于所述吸收层外表面,所述保护层填满所述图案化开口并进一步接触至所述反射层,其中所述电磁屏蔽结构还包括有电隔离间隙,使所述电磁屏蔽结构被分割为两个或两个以上彼此电性独立的屏蔽单元,其中所述电隔离间隙将所述反射层分割为多个彼此电性独立的屏蔽单元,每个所述屏蔽单元内的反射层保持电连续,所述电磁屏蔽结构在靠近键盘背光模组的区域避让布置,所述反射层与键盘背光模组最近边缘之间的最小间距不小于1.0毫米,所述吸收层在临近所述背光模组的边界设有开口密度渐变带,所述开口密度渐变带的开口密度自所述吸收层中央向背光模组方向逐步降低。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人深圳市优彩佳科技有限公司,其通讯地址为:518000 广东省深圳市宝安区松岗街道沙浦社区沙浦二路121号A栋101;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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