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龙图腾网获悉湖南大学;长沙半导体技术与应用创新研究院申请的专利一种单芯片准关断模式DC/DC降压转换器及其转换方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121036539B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511559591.0，技术领域涉及：H02M3/158；该发明授权一种单芯片准关断模式DC/DC降压转换器及其转换方法是由郭婷;唐凯;宁稳设计研发完成，并于2025-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单芯片准关断模式DC/DC降压转换器及其转换方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单芯片准关断模式DCDC降压转换器及其转换方法，DCDC降压转换器包括CMOS驱动器和整流单元，整流单元包括GaN开关管N1和GaN+CMOS整流器，且CMOS驱动器、GaN开关管N1和GaN+CMOS整流器为在CMOS衬底上生长GaN外延的一体化集成方式得到的单芯片同衬底异质集成结构；CMOS驱动器分别与N1和GaN+CMOS整流器相连；N1分别与电源、CMOS驱动器以及GaN+CMOS整流器相连；GaN+CMOS整流器包括串联的GaN器件N2和CMOS管M1，N2分别与N1、CMOS驱动器和M1相连；该方法包括全导通态和准截止态两种工作模式。

本发明授权一种单芯片准关断模式DC/DC降压转换器及其转换方法在权利要求书中公布了：1.一种单芯片准关断模式DCDC降压转换器，其特征在于，包括：CMOS驱动器和整流单元，其中整流单元包括GaN开关管N1和GaN+CMOS整流器，且CMOS驱动器、GaN开关管N1和GaN+CMOS整流器为在CMOS衬底上生长GaN外延的一体化集成方式得到的单芯片同衬底异质集成结构；具体的制作工艺流程包括： 在硅衬底上生长两层氮化硅BOX封装介电材料，两层氮化硅BOX封装介电材料中间从下而上生长有：超晶格材料、氮化镓沟道、缓冲介质层、氮化铝间隔层、氮化铝镓和氮化铝电容，两层氮化硅BOX封装介电材料之上再生长CMOS器件和层间介质； CMOS驱动器用于处理外部PWM信号输入至CMOS驱动器； CMOS驱动器分别与GaN开关管N1和GaN+CMOS整流器相连，用于根据外部PWM信号通过逻辑门调制分别生成控制信号VP_SW和VN_SW，分别用于控制GaN开关管N1和GaN+CMOS整流器的通断； GaN开关管N1分别与电源、CMOS驱动器以及GaN+CMOS整流器相连； GaN+CMOS整流器中包括串联的GaN器件N2和CMOS管M1，GaN器件N2分别与GaN开关管N1、CMOS驱动器和CMOS管M1相连；其中，CMOS管M1为NMOS管； GaN开关管N1和GaN器件N2的连接节点作为开关节点，连接于LC滤波电路。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖南大学;长沙半导体技术与应用创新研究院，其通讯地址为：410012 湖南省长沙市岳麓区麓山南路1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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