苏州实验室郁骁琦获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州实验室申请的专利一种氮化镓基衍射型面发射半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121035770B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511546436.5，技术领域涉及：H01S5/185；该发明授权一种氮化镓基衍射型面发射半导体激光器是由郁骁琦;熊康林;王军飞;孙志伟;郑煜臻;夏素缦;王怀兵;杨辉设计研发完成，并于2025-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化镓基衍射型面发射半导体激光器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种氮化镓基衍射型面发射半导体激光器，包括上包层、上波导层、有源层、下波导层、下包层，当载流子被注入到有源层时，有源层发射光，有源层的至少一侧设置有光学调制结构，光学调制结构位于上包层和或下包层中；其中，光学调制结构为环形结构；光学调制结构的基底材料包含InGaN。本发明在光学调制结构的基底材料中包含InGaN，提高器件在垂直于外延层方向上的光场调控的自由度，解决了现有技术中光场调控受限的问题。
本发明授权一种氮化镓基衍射型面发射半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓基衍射型面发射半导体激光器，包括上包层、上波导层、有源层、下波导层、下包层，当载流子被注入到所述有源层时，所述有源层发射光，其特征在于，所述有源层的至少一侧设置有光学调制结构，所述光学调制结构位于所述上包层和或所述下包层中； 其中，所述光学调制结构为环形结构； 所述光学调制结构的基底材料包含InGaN； 所述InGaN中In组分的摩尔百分比含量大于等于0.5%。
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