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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种ESD器件的制备方法和ESD器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121001402B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511528626.4，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种ESD器件的制备方法和ESD器件是由韩小虎设计研发完成，并于2025-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种ESD器件的制备方法和ESD器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种ESD器件的制备方法和ESD器件。ESD器件的制备方法包括如下步骤：提供基底，基底包括衬底和形成于衬底上的高压P阱区和深N阱区，以及覆盖于高压P阱区和深N阱区表面的第一氧化层，高压P阱区和深N阱区沿平行于衬底的第一方向排列；在基底上形成第一沟槽隔离结构，第一沟槽隔离结构将高压P阱区和深N阱区隔离；在高压P阱区上形成栅极接地NMOS结构，在深N阱区上形成肖特基势垒二极管结构和稳压二极管结构，肖特基势垒二极管结构与稳压二极管结构沿平行于衬底的第二方向交错排布，第二方向与第一方向垂直。本发明的ESD器件可形成阶梯式保护，平滑过渡ESD冲击，使得电流分布均匀，器件可靠性提升。

本发明授权一种ESD器件的制备方法和ESD器件在权利要求书中公布了：1.一种ESD器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供基底，所述基底包括衬底和形成于所述衬底上的高压P阱区和深N阱区，以及覆盖于所述高压P阱区和所述深N阱区表面的第一氧化层，所述高压P阱区和所述深N阱区沿平行于所述衬底的第一方向排列； 在所述基底上形成第一沟槽隔离结构，所述第一沟槽隔离结构将所述高压P阱区和所述深N阱区隔离； 在所述高压P阱区上形成栅极接地NMOS结构，在所述深N阱区上形成肖特基势垒二极管结构和稳压二极管结构，所述肖特基势垒二极管结构与所述稳压二极管结构沿平行于所述衬底的第二方向交错排布，所述第二方向与所述第一方向垂直； 其中，所述第一沟槽隔离结构的数量为多个，多个所述第一沟槽隔离结构沿所述第一方向间隔设置，并在沿由所述高压P阱区到所述深N阱区的方向上，在所述高压P阱区上依次隔离成P离子注入区、N离子注入区、栅极形成区、N离子注入区，将所述深N阱区依次隔离形成第一区域和N离子注入区； 在所述基底上形成多个所述第一沟槽隔离结构的同时，所述ESD器件的制备方法还包括在所述基底上形成多个第二沟槽隔离结构，多个所述第二沟槽隔离结构位于所述第一区域的中部，且沿所述第二方向间隔设置，所述第二沟槽隔离结构之间的间隙内形成N离子注入区，所述第二沟槽隔离结构沿所述第一方向两侧的所述第一区域内以及所述N离子注入区沿所述第一方向两侧的所述第一区域内形成沿所述第二方向连续延伸的P离子注入区。

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