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龙图腾网获悉长沙大微半导体有限公司申请的专利一种气压MEMS传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120992095B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511512149.2，技术领域涉及：G01L9/00；该发明授权一种气压MEMS传感器是由钟欣荣;刘善进;周卫设计研发完成，并于2025-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种气压MEMS传感器在说明书摘要公布了：本发明属于半导体技术领域，尤其是一种气压MEMS传感器，包括基座以及贯通基座厚度的第一腔体；基座的一侧层叠设置感应膜和固定极板，固定极板位于感应膜的下方并间隔设置形成第二腔体；基座靠近固定极板的一侧设有若干第一通孔，第一通孔内壁设有与第二腔体连通的第二通孔，第一通孔末端设有集液沉槽，集液沉槽在基座内连通成环形槽；本方案通过第一腔体在固定极板上的正投影外围设置第一通孔，避免直接在固定极板上开孔，防止液体直接从孔内进入到第二腔体中影响固定极板与感应膜之间的正常工作；在第一通孔末端设置在基座内部连通成环形槽，使从第一通孔进入的细小液体缓冲并汇集在环形槽内，防止进入到第二腔体中。

本发明授权一种气压MEMS传感器在权利要求书中公布了：1.一种气压MEMS传感器，包括基座、感应膜和固定极板，所述基座以及贯通基座厚度的第一腔体；其特征在于：所述基座的一侧层叠设置感应膜和固定极板，固定极板位于感应膜的下方并间隔设置形成第二腔体；基座靠近固定极板的一侧设有若干第一通孔，第一通孔内壁设有与第二腔体连通的第二通孔，第一通孔末端设有集液沉槽，集液沉槽在基座内连通成环形槽，第一结构层，为过渡结构层，厚度为0.2μm-1μm，衔接于上方的第二结构层和下方的固定极板； 第二结构层，厚度为1μm-1.5μm，第二结构层上设置第二通孔； 第三结构层，位于感应膜的下方为缓冲物理层，避免外界干扰到感应膜；靠近第一通孔处设有弧形R角，第三结构层位于第二结构层的上方；第四结构层，第四结构层位于第三结构层的上方，第四结构层内侧设有用于设置感应膜的安装台，使感应膜与基座之间存在一定的距离，第四结构层内设置环形槽，第一通孔依次从下固定层、固定极板、上固定层、第一结构层、第二结构层和第三结构层穿设，并与第四结构层内的环形槽连通。

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