甬矽半导体(宁波)有限公司钟磊获国家专利权
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龙图腾网获悉甬矽半导体(宁波)有限公司申请的专利桥连封装方法和封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120933163B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511438888.1，技术领域涉及：H10W70/63；该发明授权桥连封装方法和封装结构是由钟磊;徐玉鹏;简志宏;何正鸿设计研发完成，并于2025-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本桥连封装方法和封装结构在说明书摘要公布了：本申请提供的一种桥连封装方法和封装结构，该桥连封装方法包括提供具有金属层的可分离基底；金属层设有凹槽。在金属层上形成第一金属柱；在凹槽贴装第一芯片。第一芯片包括芯片主体和边缘层，芯片主体设有第一导电柱和第二金属柱。边缘层超出芯片主体的边缘；第二金属柱朝边缘层延伸且没有超出边缘层。边缘层位于凹槽中；在可分离基底上形成第一塑封体。研磨以使第一导电柱和第一金属柱从第一塑封体表面露出。在第一塑封体表面形成分别与第一导电柱和第一金属柱连接的第一布线层。去除可分离基底。在第一塑封体另一侧形成分别与第一金属柱和第二金属柱连接的第二布线层。可改善封装制程中的翘曲变形，提升封装质量。
本发明授权桥连封装方法和封装结构在权利要求书中公布了：1.一种桥连封装方法，其特征在于，包括： 提供具有金属层的可分离基底；其中，所述金属层设有凹槽； 在所述金属层上形成第一金属柱； 在所述凹槽贴装第一芯片；其中，所述第一芯片包括芯片主体和边缘层，所述芯片主体设有第一导电柱和第二金属柱；所述边缘层连接在所述芯片主体远离所述第一导电柱的一端，且所述边缘层超出所述芯片主体的边缘；所述第二金属柱朝所述边缘层延伸且没有超出所述边缘层；所述边缘层位于所述凹槽中； 在所述可分离基底上形成包覆所述第一金属柱和所述第一芯片的第一塑封体； 研磨所述第一塑封体，以使所述第一导电柱和所述第一金属柱的端面从所述第一塑封体表面露出； 在所述第一塑封体表面形成分别与所述第一导电柱和所述第一金属柱连接的第一布线层； 去除所述可分离基底； 在所述第一塑封体远离所述第一布线层的一侧表面形成分别与所述第一金属柱和所述第二金属柱连接的第二布线层。
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