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龙图腾网获悉南昌凯迅光电股份有限公司申请的专利一种能够调节应力的三结太阳电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120916491B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511416993.5，技术领域涉及：H10F10/142；该发明授权一种能够调节应力的三结太阳电池及其制备方法是由宁如光;潘彬;蔡建九;佟嘉欣;屈乾峰;王宝荣;李浩;王苏杰;杨祺;林晓珊设计研发完成，并于2025-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种能够调节应力的三结太阳电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种能够调节应力的三结太阳电池及其制备方法，该三结太阳电池自下而上依次为GaAs衬底、腐蚀截止层、接触层、顶电池、第一隧穿结、中电池、第二隧穿结、应变缓冲层、底电池、应力调节层、欧姆接触层。本发明通过在底电池层上生长应力调节层，不仅可以补偿底电池层对前两结电池层和衬底产生的压应变，而且可以在不影响功能层结构的情况下自由调节其晶格常数和厚度补偿因失配产生的应力，调节外延片的翘曲，有助于提高倒装电池芯片的生产良率和器件可靠性。

本发明授权一种能够调节应力的三结太阳电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种能够调节应力的三结太阳电池，其特征在于，所述三结太阳电池自下而上依次为GaAs衬底、腐蚀截止层、接触层、顶电池、第一隧穿结、中电池、第二隧穿结、应变缓冲层、底电池、应力调节层、欧姆接触层； 所述应力调节层采用组分阶变的形式生长，其晶格常数由与所述底电池相匹配过渡到设定的晶格常数； 所述应力调节层从下往上依次为：Inx1GaAs、Iny1GaAs； 所述欧姆接触层的材料为Iny1GaAs，掺杂浓度大于2×1018cm3，掺杂剂为Zn、Mg和C中的至少一种； 其中，0.29≤x1＜0.32,0.23＜y1≤0.27； 所述应变缓冲层的材料为InAlGaAs，掺杂浓度大于1×1018cm3，掺杂剂为Te、Se和Si中的至少一种； 所述应变缓冲层依次包括210nm的In0.05Alx3GaAs、210nm的In0.1Alx3GaAs、210nm的In0.15Alx3GaAs、210nm的In0.2Alx3GaAs、210nm的In0.25Alx3GaAs、210nm的In0.3Alx3GaAs、210nm的In0.36Alx3GaAs、500nm的In0.3Alx3GaAs，其中0.1＜x3≤0.6。

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