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龙图腾网获悉上海嵘熵动力科技有限公司申请的专利抗电磁干扰的磁悬浮控制器设备及滤波方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120915168B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511430351.0，技术领域涉及：H02N15/00；该发明授权抗电磁干扰的磁悬浮控制器设备及滤波方法是由彭军;陈荣光;杨大洪设计研发完成，并于2025-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本抗电磁干扰的磁悬浮控制器设备及滤波方法在说明书摘要公布了：本发明属于电机技术领域，公开了抗电磁干扰的磁悬浮控制器设备及滤波方法；方法包括：制备量子限域磁导单元，通过内埋式传感器阵列实时采集磁芯内部磁通、温度数据，搭建对应的磁导率调控模型；获取磁导率调控模型的输出，分析获得实时电感；基于实时电感，结合预设目标电感，通过栅压调控与电感补偿协同策略对实时电感进行补偿；根据补偿后的实时电感，采用PID控制器进行滤波；本发明在强磁场与高温耦合环境下，能够有效降低磁导率的非线性下降幅度，降低电感值的漂移量、滤波器截止频率偏移量和电流纹波，提升转子悬浮精度，显著提升磁悬浮系统在极端环境下的滤波稳定性与控制可靠性。

本发明授权抗电磁干扰的磁悬浮控制器设备及滤波方法在权利要求书中公布了：1.抗电磁干扰的磁悬浮控制器滤波方法，其特征在于，包括： 制备量子限域磁导单元，通过内埋式传感器阵列实时采集磁芯内部磁通、温度数据，构建对应的磁导率调控模型； 制备量子限域磁导单元的方法包括： 选择由预设材料组成的超晶格作为磁芯主体；所述超晶格由石墨烯六方氮化硼组成； 将预处理后的SiO2作为超晶格的衬底，通过预设生长工艺控制超晶格交替生长于SiO2衬底，形成预设周期的超晶格；在超晶格生长过程中，通过掩膜板遮挡，在预设预留周期的超晶格界面预留预设尺度的层间间隙，在层间间隙内嵌入预设芯片，采用导电聚合物连接，形成内埋式传感器阵列； 通过电子束光刻在超晶格端面蒸发沉积Au层，再通过刻蚀获得预设线宽的金线栅极，形成衬底-超晶格-金电极结构，获得量子限域磁导单元； 获取磁导率调控模型的输出，分析获得实时电感； 构建磁导率调控模型的方法包括： 计算基础量子隧穿概率； 基于栅压和单层势垒厚度计算获得产生的垂直电场，基于垂直电场、单层势垒厚度和电子电荷对单层势垒厚度进行修正，获得修正势垒厚度； 基于基础量子隧穿概率、单层势垒厚度、修正势垒厚度、隧穿概率衰减因子修正值和温度修正项计算获得量子隧穿概率；隧穿概率衰减因子修正值基于磁芯内部磁通密度对隧穿概率衰减因子修正获得； 获取零磁场基准磁导率、量子隧穿概率、耦合系数、修正势垒厚度、栅压灵敏度系数、栅压和磁场衰减系数，以及磁芯内部磁通密度，构建获得磁导率调控模型； 获得实时电感的方法包括： 获取初始电感、磁导率调控模型输出的实时磁导率、实时磁通密度、实时温度、修正势垒厚度、磁芯总长度和量子隧穿概率，建立电感漂移量化模型，计算获得实时电感； 基于实时电感，结合预设目标电感，通过栅压调控与电感补偿协同策略对实时电感进行补偿； 根据补偿后的实时电感，采用PID控制器进行滤波。

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