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龙图腾网获悉甬矽半导体(宁波)有限公司申请的专利衬底布线方法和衬底封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120914114B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511438595.3，技术领域涉及：H10W70/05；该发明授权衬底布线方法和衬底封装结构是由何正鸿;钟磊;徐玉鹏设计研发完成，并于2025-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本衬底布线方法和衬底封装结构在说明书摘要公布了：本申请提供的一种衬底布线方法和衬底封装结构，包括：提供具有第一半固化片的第一载具；第一半固化片包括第一分部和第二分部，第二分部高于第一分部。在第一分部形成第一布线层，在第二分部形成第二布线层。形成包覆第一布线层和第二布线层的第一介质层。在第二分部覆盖第二半固化片，第二半固化片的表面高于第一介质层的表面。在第一分部上形成与第一布线层电连接的第三布线层。形成包覆第三布线层和第二半固化片的第二介质层。以第一半固化片和第二半固化片分别与介质层的界面为分离面进行解键合，分离制得第一模组和第二模组。封装效率高、产品灵活性好。

本发明授权衬底布线方法和衬底封装结构在权利要求书中公布了：1.一种衬底布线方法，其特征在于，包括： 提供具有第一半固化片的第一载具；其中，所述第一半固化片包括第一分部和第二分部，所述第二分部高于所述第一分部； 在所述第一分部形成第一布线层，在所述第二分部形成第二布线层； 形成包覆所述第一布线层和所述第二布线层的第一介质层；其中，所述第一介质层设有第一开口；所述第一开口沿所述第二布线层的外周设置，且露出所述第一半固化片； 在所述第二分部覆盖第二半固化片，且填充所述第一开口；所述第二半固化片的表面高于所述第一介质层的表面； 在所述第一分部上形成与所述第一布线层电连接的第三布线层； 形成包覆所述第三布线层和所述第二半固化片的第二介质层； 在所述第二半固化片对应区域形成贯穿所述第二介质层的第一导电柱； 以所述第一半固化片和所述第二半固化片分别与介质层的界面为分离面进行解键合，分离制得第一模组和第二模组；其中，所述第二模组中包括所述第一半固化片和所述第二半固化片；所述第一模组具有与所述第二半固化片的位置对应的凹槽；所述分离面包括第二半固化片分别与第一介质层、第二介质层的界面，以及第一半固化片与第一介质层的界面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人甬矽半导体(宁波)有限公司，其通讯地址为：315400 浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园滨海大道60号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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