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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种发光二极管芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120897587B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511416743.1，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种发光二极管芯片及其制备方法是由李文涛;张存磊;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2025-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种发光二极管芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种发光二极管芯片的制备方法，制备方法包括：提供一蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上依次沉积N型半导体层、有源发光层以及P型半导体层作为外延层；在P型半导体层上制备N型半导体层导电台阶；在P型半导体层上制备电流扩展层；在电流扩展层上制备电流阻挡层，接着在电流阻挡层上制备电流阻挡层通孔；在电流阻挡层上制备第一半导体层；对蓝宝石衬底进行减薄，接着激光剥离减薄后的蓝宝石衬底，暴露出N型半导体层底部上的PSS；在N型半导体层底部的PSS上制备隔离槽；在N型半导体层底部的PSS上制备第二绝缘层；在第二绝缘层上制备第二绝缘层通孔，然后在第二绝缘层通孔上制备P型焊盘。

本发明授权一种发光二极管芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤： S1，提供一蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底上依次沉积N型半导体层、有源发光层以及P型半导体层作为外延层； S2，在所述P型半导体层上制备N型半导体层导电台阶； S3，在所述P型半导体层上制备电流扩展层； S4，在所述电流扩展层、未被所述电流扩展层覆盖的P型半导体层以及未被所述电流扩展层覆盖的N型半导体层导电台阶上制备电流阻挡层，接着在所述电流阻挡层上制备电流阻挡层通孔； S5，在所述电流阻挡层以及所述电流阻挡层通孔上制备第一半导体层； S6，对所述蓝宝石衬底进行减薄，接着激光剥离减薄后的蓝宝石衬底，暴露出所述N型半导体层底部上的PSS； S7，在所述N型半导体层底部的PSS上涂布光刻胶，然后曝光、显影去除掉部分光刻胶，暴露出这部分去除掉光刻胶的PSS，然后利用第一电感耦合等离子体刻蚀工艺去除掉暴露出的这部分PSS以及这部分PSS下面的外延层，形成隔离槽； 其中，所述第一电感耦合等离子体刻蚀工艺包括第一刻蚀步骤、第二刻蚀步骤以及第三刻蚀步骤、第四刻蚀步骤以及增大材料刻蚀选择比的第五刻蚀步骤，所述第一刻蚀步骤的刻蚀上功率SRF以及刻蚀下功率BRF均大于所述第二刻蚀步骤的刻蚀上功率SRF以及刻蚀下功率BRF，所述第一刻蚀步骤的刻蚀上功率SRF与刻蚀下功率BRF的比值小于所述第二刻蚀步骤的刻蚀上功率SRF与刻蚀下功率BRF的比值，所述第三刻蚀步骤的刻蚀上功率SRF以及刻蚀下功率BRF均大于所述第四刻蚀步骤的刻蚀上功率SRF以及刻蚀下功率BRF，所述第三刻蚀步骤的刻蚀上功率SRF与刻蚀下功率BRF的比值小于所述第四刻蚀步骤的刻蚀上功率SRF与刻蚀下功率BRF的比值，所述第一刻蚀步骤的刻蚀上功率SRF与刻蚀下功率BRF的比值与所述第二刻蚀步骤的刻蚀上功率SRF与刻蚀下功率BRF的比值的差值小于所述第三刻蚀步骤的刻蚀上功率SRF与刻蚀下功率BRF的比值与所述第四刻蚀步骤的刻蚀上功率SRF与刻蚀下功率BRF的比值的差值； S8，在所述N型半导体层底部的PSS、所述电流阻挡层以及所述隔离槽上制备第二绝缘层； S9，在所述第二绝缘层上制备第二绝缘层通孔，然后在所述第二绝缘层通孔上制备P型焊盘。

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