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龙图腾网获悉中国科学院国家空间科学中心申请的专利一种基于多层深硅刻蚀的高频太赫兹混频器腔体的制备方法、太赫兹混频器腔体及太赫兹混频器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120895882B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510987649.5，技术领域涉及：H01P11/00；该发明授权一种基于多层深硅刻蚀的高频太赫兹混频器腔体的制备方法、太赫兹混频器腔体及太赫兹混频器是由朱皓天;田宇;刘家伯;李家辉;于洋;张德海设计研发完成，并于2025-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于多层深硅刻蚀的高频太赫兹混频器腔体的制备方法、太赫兹混频器腔体及太赫兹混频器在说明书摘要公布了：本发明涉及太赫兹科学与技术、微电子领域，特别涉及一种基于多层深硅刻蚀的高频太赫兹混频器腔体的制备方法、太赫兹混频器腔体及太赫兹混频器。该方法在硅片的双面上构建多层图形化二氧化硅掩模，通过深硅刻蚀形成喇叭状过渡腔体和功能腔体，并实现硅片的双面金属化。所得混频器腔体通过集成硅基结构实现了部分天线、耦合器、混频器及中频电路的一体化布局，提升了信号传输效率，降低了传输损耗，腔体结构精度更高，适用于太赫兹高频应用。本发明还利用硅基材料优异的可加工性和微纳加工技术的高精度控制能力，能够在单次加工过程中批量制备多个硅片，实现低成本、高一致性的制造需求。

本发明授权一种基于多层深硅刻蚀的高频太赫兹混频器腔体的制备方法、太赫兹混频器腔体及太赫兹混频器在权利要求书中公布了：1.一种基于多层深硅刻蚀的高频太赫兹混频器腔体的制备方法，混频器腔体包括：金属腔体，其特征在于，所述混频器腔体还包括硅片，制备所述硅片包括以下步骤： 步骤1：对硅片进行清洗处理，并在硅片的第一面AA’和第二面BB’生长二氧化硅薄膜； 步骤2：基于电感耦合等离子体刻蚀方法，在第二面BB’依次形成两层图形化二氧化硅硬掩模，在第一面AA’依次形成三层图形化二氧化硅硬掩模； 步骤3：利用第二面BB’上的两层图形化二氧化硅硬掩模，采用深硅刻蚀方法对第二面BB’进行多层结构刻蚀，逐层形成若干功能腔体，并电镀第一金属膜； 步骤4：利用第一面AA’上的三层图形化二氧化硅硬掩模，采用深硅刻蚀方法对第一面AA’进行多层结构刻蚀，逐层形成喇叭状的过渡腔体，并继续深硅刻蚀至贯通第二面BB’所形成的其中一个功能腔体，以实现双面贯通的硅片腔体结构；其中，与所述过渡腔体贯通的功能腔体形成耦合器； 步骤5：去除硅片第一面AA’和第二面BB’残留的二氧化硅薄膜，去除第二面BB’的第一金属膜，并分别在第一面AA’和第二面BB’电镀第二金属膜，从而获得具有双面金属化的硅片腔体结构的硅片。

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