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龙图腾网获悉山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司申请的专利NAND闪存读取电压轴预测方法及装置、存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120877833B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511383523.3，技术领域涉及：G11C29/56；该发明授权NAND闪存读取电压轴预测方法及装置、存储介质是由管兴政;曹成;王璞设计研发完成，并于2025-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本NAND闪存读取电压轴预测方法及装置、存储介质在说明书摘要公布了：本申请公开了一种NAND闪存读取电压轴预测方法及装置、存储介质，方法包括对不同类型的NAND在不同工况下进行特性测试，获取对应的电压轴数据及其特性参数；对所获取的数据进行清洗，并进行归一化处理；构建包含第一GRU分支和第二GRU分支的GRUM模型，交叉融合形成最终的GRUM预测模型，获取目标NAND闪存的实际编程擦除周期和实际数据保留时间，输入最终的GRUM预测模型进行预测，输出目标NAND闪存的最佳读取电压轴预测值。本申请能够更好地捕捉和处理NAND闪存数据的非线性关系和时空依赖性，从而提高了预测的准确性。

本发明授权NAND闪存读取电压轴预测方法及装置、存储介质在权利要求书中公布了：1.一种NAND闪存读取电压轴预测方法，其特征在于，所述方法包括： 对不同类型的NAND在不同工况下进行特性测试，获取对应的电压轴数据及其特性参数； 对所获取的数据进行清洗，并进行归一化处理； 构建包含第一GRU分支和第二GRU分支的GRUM模型，将归一化数据中的第一类数据输入所述第一GRU分支进行训练，得到第一GRU模型，将归一化数据中第二类数据输入所述第二GRU分支进行训练，得到第二GRU模型；将第一GRU模型的输出和第二GRU模型的输出交叉融合，形成最终的GRUM预测模型；其中，第一类数据包括PE的相关数据特征，第二类数据包括RET的数据特征； 获取目标NAND闪存的实际编程擦除周期和实际数据保留时间，输入最终的GRUM预测模型进行预测，输出目标NAND闪存的最佳读取电压轴预测值； 将第二GRU模型的输出作为特征表示，通过最终的GRUM预测模型的全连接层结构输出NAND的最佳读取电压轴预测值； 获取NAND的读取电压轴的实际测量值，利用实际测量值对电压轴预测值的预测结果进行评估，对最终的GRUM预测模型进行参数及权重调整，作为更新后的GRUM预测模型； 所述第一GRU分支和所述第二GRU分支均包括重置门、更新门、候选隐藏状态和最终隐藏状态，其结构相同，参数相互独立，其中： 重置门通过以下模型实现： xt为当前数据步的输入，t为时间步，ht为当前时间步的隐藏状态，ht-1为上一时间步的隐藏状态，σ表示激活函数，Wxr为输入到重置门的权重矩阵，Whr为隐藏状态到重置门的权重矩阵，br为重置门的偏置向量； 更新门通过以下模型实现： Wxz为输入到更新门的权重矩阵，Whz为隐藏状态到更新门的权重矩阵，bz为更新门的偏置向量； 候选隐藏状态表征为： tanh为双曲正切激活函数，Wxh为输入到候选隐藏状态的权重矩阵，Whh为隐藏状态到候选状态的权重矩阵，rt为重置门，⊙表示逐元素乘法，bh为候选隐藏状态的偏置向量； 最终隐藏状态表征为： Zt为更新门，为候选隐藏状态。

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