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龙图腾网获悉西安基尔程电子科技有限公司申请的专利一种半导体激光器缺陷检测方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120870241B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511394253.6，技术领域涉及：G01N25/72；该发明授权一种半导体激光器缺陷检测方法及系统是由凤浩;张文;熊瑞媚设计研发完成，并于2025-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体激光器缺陷检测方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及激光器缺陷检测技术领域，具体涉及一种半导体激光器缺陷检测方法及系统。本发明根据所有时刻的红外温度图像在不同位置的温度变化特征，筛选出构成多个热流分布不均匀区域的不均匀位置；根据每个热流分布不均匀区域的热阻时序曲线上不同时刻的热阻变化，获得多个热阻突变时刻；根据不同热阻突变时刻的邻域范围内热阻的分布获得每个热流分布不均匀区域的封装缺陷可能性，筛选出封装缺陷区域；根据每个半导体激光器中封装缺陷区域的数量，以及封装缺陷可能性，获得每个半导体激光器的质量评分，对缺陷进行检测；本发明通过获得每个半导体激光器的封装缺陷以及质量评分，提高对缺陷检测的准确性。

本发明授权一种半导体激光器缺陷检测方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器缺陷检测方法，其特征在于，所述方法包括： 获取高温键合后降温过程中半导体激光器在每一时刻的红外温度图像； 根据所有时刻的红外温度图像在不同位置的温度变化特征，获得每个位置的热流分布均匀性，筛选出构成多个热流分布不均匀区域的不均匀位置； 获得每个热流分布不均匀区域的热阻时序曲线，根据热阻时序曲线上不同时刻的热阻变化，获得多个热阻突变时刻；根据每个热阻突变时刻的邻域范围内热阻的分布，获得每个热阻突变时刻的波峰变化因子；根据不同热阻突变时刻的波峰变化因子分布，获得每个热流分布不均匀区域的热阻波动程度； 根据不同热流分布不均匀区域的热阻波动程度分布，以及热阻变化，获得每个热流分布不均匀区域的封装缺陷可能性，筛选出封装缺陷区域； 根据每个半导体激光器中封装缺陷区域的数量，以及封装缺陷可能性，获得每个半导体激光器的质量评分，对缺陷进行检测； 所述波峰变化因子的获取方法包括： 获得邻域范围内热阻峰值衰减至峰值一半所对应的时刻差异；获得每个热阻突变时刻的热阻和所有热阻突变时刻中热阻最小值之间的热阻差值； 根据每个热阻突变时刻对应的时刻差异和热阻差值，获得每个热阻突变时刻的波峰变化因子，热阻差值与波峰变化因子呈正相关，时刻差异与波峰变化因子呈负相关； 所述热阻波动程度的获取方法包括： 对于任一热流分布不均匀区域，获得所有热阻突变时刻的波峰变化因子均值，作为平均波动变化因子； 获得所有热阻突变时刻的波峰变化因子和平均波动变化因子之间差异均值，作为第一波动系数； 获得第一波动系数和平均波动变化因子的乘积，作为对应热流分布不均匀区域的热阻波动程度； 所述封装缺陷可能性的获取方法包括： 获得不同热流分布不均匀区域的热阻波动程度和热阻波动程度最小值之间的差异均值，作为整体热阻波动偏离度；获得每个热流分布不均匀区域的热阻波动程度和整体热阻波动偏离度的比值，作为每个热流分布不均匀区域的第一缺陷可能性； 对热阻时序曲线上每一时刻进行求导，获得所有求导数值的均值，作为平均热阻变化率； 获得第一缺陷可能性和平均热阻变化率的比值，并进行归一化映射，作为每个热流分布不均匀区域的封装缺陷可能性。

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