镭昱光电科技(苏州)有限公司仉旭获国家专利权
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龙图腾网获悉镭昱光电科技(苏州)有限公司申请的专利一种Micro LED芯片及制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120857745B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511349858.3,技术领域涉及:H10H29/14;该发明授权一种Micro LED芯片及制备方法是由仉旭;庄永漳;卢子元设计研发完成,并于2025-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Micro LED芯片及制备方法在说明书摘要公布了:本申请公开了一种MicroLED芯片及制备方法,包括:驱动面板;多个LED单元,阵列排布于所述驱动面板上;栅格结构,围设于多个所述LED单元形成阵列排布的多个栅格孔;多个微透镜,所述微透镜设置于所述栅格孔中,且朝向所述LED单元的一侧表面为聚光凸面;所述LED单元发出的光线能够经所述聚光凸面后,自所述微透镜背离所述LED单元的一侧出射。本申请通过在LED单元上形成微透镜,该微透镜具有朝向LED单元的聚光凸面,使得LED单元发出的光线经过聚光凸面后能够有效收束,提升光线自微透镜背离LED单元一侧出射的出光量,有利于提升MicroLED芯片全彩显示的高效性和稳定性。
本发明授权一种Micro LED芯片及制备方法在权利要求书中公布了:1.一种MicroLED芯片,其特征在于,包括: 驱动面板; 多个LED单元,阵列排布于所述驱动面板上; 栅格结构,围设于多个所述LED单元形成阵列排布的多个栅格孔; 多个微透镜,所述微透镜设置于所述栅格孔中,且朝向所述LED单元的一侧表面为聚光凸面,所述微透镜和所述LED单元间具有空腔,所述LED单元的出光面位于所述微透镜的焦平面位置处,所述LED单元发出的光线能够经所述空腔和所述聚光凸面后,自所述微透镜背离所述LED单元的一侧出射; 色转换层,覆盖于所述微透镜背离所述LED单元的一侧;所述空腔能够复用为所述LED单元与所述色转换层间的隔热层。
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