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龙图腾网获悉北京集成电路装备创新中心有限公司申请的专利一种刻蚀方法及半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120749010B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510812823.2，技术领域涉及：H10P76/40；该发明授权一种刻蚀方法及半导体工艺设备是由刘金平;沈涛;李海岩;董云鹤设计研发完成，并于2025-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种刻蚀方法及半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种刻蚀方法及半导体工艺设备，涉及半导体技术领域，为解决金属硬掩模刻蚀工艺中容易在刻蚀材料层的顶部位置形成“颈缩”现象的问题而设计。该刻蚀方法包括提供半导体器件，半导体器件包括依次层叠设置的刻蚀材料层、金属硬掩模层、氧化层、抗反射层和图形化的光阻层；第一刻蚀步，以光阻层为掩模刻蚀抗反射层，并露出氧化层；沉积步，在抗反射层的顶部形成第一含碳牺牲层、氧化层的顶部形成第二含碳牺牲层，第一含碳牺牲层的厚度大于第二含碳牺牲层的厚度。本发明能够提高抗反射层厚度剩余量，使得在后续刻蚀步骤中，抗反射层仍能有剩余，以防止抗反射层的圆角形貌传递至刻蚀材料层而形成“颈缩”现象。

本发明授权一种刻蚀方法及半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括： 提供半导体器件，所述半导体器件包括依次层叠设置的刻蚀材料层105、金属硬掩模层104、氧化层103、抗反射层102和图形化的光阻层101； 光阻层101修饰步，修饰所述光阻层101，以降低所述光阻层101的线宽粗糙度；所述光阻层101修饰步，包括：光阻层101残胶去除步，去除所述光阻层101侧壁的凸起部；其中，上射频功率为100～400W、下射频功率为0；工艺气体为CF类气体，所述CF类气体的流量在100～140sccm之间； 第一刻蚀步，以所述光阻层101为掩模刻蚀所述抗反射层102，并露出所述氧化层103；所述第一刻蚀步中，上射频功率为500～1500W，下射频功率为30～100W；以及 沉积步，在所述抗反射层102的顶部形成第一含碳牺牲层501、所述氧化层103的顶部形成第二含碳牺牲层502，所述第一含碳牺牲层501的厚度大于所述第二含碳牺牲层502的厚度。

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